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本发明涉及沟槽电容器和形成该沟槽电容器的方法。一种形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成具有侧壁的开口；以及在所述开口中形成第一外延层。所述第一外延层是在所述侧壁的第一部分中形成的，而不是在所述侧壁的第二部分中生长。在形成所述第一外延层之后...
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