【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种MIM电容器及其制造方法，所述MIM电容器包括作为MIM电容器的下电极层、极间电介质以及上电极层，所述上电极层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽中的至少两种。本专利技术的MIM电容器及其制造方法，通过钛、氮化钛、钽、氮化钽中的至少两种形成的新的上电极层来取代现有技术中的铝层或者铝和氮化钛双层结构，避免了上电极层沉积过程中由于铝本身物理特性以及铝层平整性等引起的电弧放电缺陷，进而提高半导体集成电路的成品率。【专利说明】MIM电容器及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件制造
，尤其涉及一种MIM电容器及其制造方法。
技术介绍
电阻、电容等无源器件被广泛地应用于集成电路制作技术中，该些器件通常采用 标准的集成电路工艺，利用惨杂单晶娃、惨杂多晶娃等导电材质及氧化膜或氮氧化膜等绝 缘材质制成，例如PIP (化ly-Insulator-Poly)电容。该些器件比较接近娃衬底，器件与衬 底之间的寄生电容会影响器件的性能，尤其在射频（RF)电路中，随着频率的上升，器件的性 能下降较快。 MIM (Metal-Insu...
【技术保护点】
一种MIM电容器，其特征在于，包括：作为MIM电容器的下电极层、极间电介质以及上电极层，所述上电极层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽中的至少两种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐丽贤，包小燕，庄燕萍，霍燕丽，杜海，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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