半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层。在此，通过在功能器件和MIM电容器之间形成一屏蔽层，隔离所述功能器件与所述MIM电容器之间的相互干扰，由此既能够避免晶圆面积的浪费又能够使得可放置于MIM电容器下的功能器件不受限制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种。
技术介绍
电容、电阻等被动元件011-01111: 2161116111:)被广泛应用于集成电路制作技术中，这些器件通常采用标准的集成电路工艺，利用掺杂单晶硅、掺杂多晶硅以及氧化膜或氮氧化膜等制成，比如多晶娃-介质膜-多晶娃^017-1118111211:01-^017)电容。由于这些器件比较接近硅衬底，器件与衬底间的寄生电容使得器件的性能受到影响，尤其在射频(即)0108电路中，随着频率的上升，器件的性能下降很快。 金属-绝缘体-金属(111, 161:81-111811181:01—161:81 )电容技术的开发为解决这一问题提供了有效的途径，该技术将电容制作在互连层，即后道工艺(820匕￡11(1 0？11116)中，既与集成电路工艺相兼容，又通过拉远被动元件与导电衬底间的距离，克服了寄生电容大、器件性能随频率增大而明显下降的弊端，使得该技术逐渐成为了集成电路中制作被动元件电容的主流。 但是，在带有1頂电容器的半导体器件中，也存在一些问题，主要是如果1頂电容器下面直接放功能器件(例如晶体管),则1頂电容器会与下面的功能器件产生相互干扰。现有技术中针对带有1頂电容器的半导体器件主要有两种实现方式: 1、III电容器下面不放功能器件，从而可彻底避免1頂电容器与功能器件产生相互干扰，但是此种实现方式将极大的浪费晶圆面积； 2、111电容器下面放一些不太敏感的功能器件，从而能够节省一部分晶圆面积，但是此种实现方式还是会使得1頂电容器与其下的功能器件产生相互干扰(只是这种干扰对于其下的功能器件尚且能够被容忍),并且也限制了可放置于1頂电容器下的功能器件的种类(即只能是一些不太敏感的功能器件 因此，如何提供一种带有1頂电容器的半导体器件，其能够避免上述缺陷，成了本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以解决现有的带有1頂电容器的半导体器件浪费晶圆面积或者限制了可放置于111电容器下的功能器件的种类的问题。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件，所述半导体器件包括:半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的1頂电容器；其中，在所述功能器件和所述1頂电容器之间形成有一屏蔽层。 可选的，在所述的半导体器件中，所述屏蔽层为接地的金属层。 可选的，在所述的半导体器件中，所述屏蔽层为接地的铜金属层或者接地的铝金属层。 可选的，在所述的半导体器件中，所述屏蔽层在所述半导体衬底上的投影笼罩所述1頂电容器在所述半导体衬底上的投影。 可选的，在所述的半导体器件中，所述1頂电容器包括金属下极板、位于金属下极板上的绝缘层、及位于绝缘层上的金属上极板，所述屏蔽层紧靠所述金属下极板。 可选的，在所述的半导体器件中，还包括与所述屏蔽层位于同层的金属互连线，所述屏蔽层与位于同层的金属互连线断开。 本专利技术还提供一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括: 提供一半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成功能器件； 在所述功能器件上形成屏蔽层； 在所述屏蔽层上形成1頂电容器。 可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述屏蔽层为接地的金属层。 可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述屏蔽层为接地的铜金属层或者接地的铝金属层。 可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述屏蔽层在所述半导体衬底上的投影笼罩所述1頂电容器在所述半导体衬底上的投影。 可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，所述1頂电容器包括金属下极板、位于金属下极板上的绝缘层、及位于绝缘层上的金属上极板，所述屏蔽层紧靠所述金属下极板。 可选的，在所述的半导体器件的制造方法中，在所述功能器件上形成屏蔽层的同时，在所述屏蔽层的同层形成金属互连线，所述屏蔽层与位于同层的金属互连线断开。 在本专利技术提供的中，通过在功能器件和1頂电容器之间形成一屏蔽层，隔离所述功能器件与所述1頂电容器之间的相互干扰，由此既能够避免晶圆面积的浪费又能够使得可放置于1頂电容器下的功能器件不受限制。 【附图说明】 图1是本专利技术实施例的半导体器件的结构示意图； 图2是本专利技术实施例的半导体器件的制造方法的流程示意图。 【具体实施方式】 以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。 本专利技术的核心思想在于，通过在功能器件和1頂电容器之间形成一屏蔽层，隔离所述功能器件与所述1頂电容器之间的相互干扰，由此既能够避免晶圆面积的浪费又能够使得可放置于1頂电容器下的功能器件不受限制。 具体的，请参考图1，其为本专利技术实施例的半导体器件的结构示意图。如图1所示，所述半导体器件包括:半导体衬底10 ；形成于所述半导体衬底10上的功能器件11 ；形成于所述功能器件上的1頂电容器12 ；其中，在所述功能器件11和所述1頂电容器12之间形成有一屏蔽层13。 具体的，所述半导体衬底10可以是娃衬底、错娃衬底或者301衬底等，本申请对此并不做限定。 在本实施例中，所述屏蔽层13为一接地的金属层，优选的，所述屏蔽层13为接地的铜金属层或者为接地的铝金属层。在此，通过接地的金属层将所述1頂电容器12所产生的干扰导入到地中，由此避免了所述1頂电容器12对其下的功能器件11产生影响。为了制造工艺的简便，在本实施例中，所述屏蔽层13与金属互连线同时形成。通常的，现有的金属互连线的材料为铜或者铝，因此，在本实施例中，所述屏蔽层13也优选为接地的铜金属层或者接地的铝金属层。此外，为了使得所述金属互连线的功能独立，所述屏蔽层13与位于同层的金属互连线断开，即所述屏蔽层13与位于所述屏蔽层13同层的金属互连线不连接。 进一步的，所述屏蔽层13在所述半导体衬底10上的投影笼罩所述1頂电容器12在所述半导体衬底10上的投影。即所述屏蔽层13将设置于所述1頂电容器12之下(竖直下方)的功能器件11 (即图1中位于中间的一功能器件)笼罩住了，由此可以很好的防止所述1頂电容器12影响所述1頂电容器12之下(竖直下方)的功能器件11。 在本实施例中，所述1頂电容器12包括金属下极板、位于金属下极板上的绝缘层、及位于绝缘层上的金属上极板，所述屏蔽层13紧靠所述金属下极板。即在本实施例中，所述屏蔽层13与所述金属下极板之间不再设置金属互连线，由此，能够充分发挥所述屏蔽层13屏蔽所述1頂电容器12与设置于所述1頂电容器12之下(竖直下方)的功能器件11相互影响的作用。 相应的，本实施例还提供一种所述半导体器件的制造方法。具体的，请参考图2，其为本专利技术实施例的半导体器件的制造方法的流程示意图。如图2所示，在本实施例中，所述半导体器件的制造方法具体包括: 步骤320:提供一半导体衬底； 步骤321:在所述半导体衬底上形成功能器件； 步骤322:在所述功能器件上形成屏蔽层； 步骤323:在所述屏蔽层上形成1頂电容器。 进一步的，在所述半导体衬底上形成功能器件之后，紧接着形成多层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括:半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的1頂电容器；其中，在所述功能器件和所述1頂电容器之间形成有一屏蔽层。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层为接地的金属层。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层为接地的铜金属层或者接地的铝金属层。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层在所述半导体衬底上的投影笼罩所述1頂电容器在所述半导体衬底上的投影。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述1頂电容器包括金属下极板、位于金属下极板上的绝缘层、及位于绝缘层上的金属上极板，所述屏蔽层紧靠所述金属下极板。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括与所述屏蔽层位于同层的金属互连线，所述屏蔽层与位于同层的金属互连线断开。7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈美丽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31