【技术实现步骤摘要】
一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构
本专利技术涉及到一种提高器件耐压能力的半导体装置封装结构,本专利技术的半导体装置封装结构主要应用于分立高压器件。
技术介绍
II1-V族氮化物型器件的氮化镓(GaN)半导体器件是近年来迅速发展起来的新型半导体材料器件。基于GaN半导体材料的器件能够载送大的电流并支持高压,同时此类器件还能够提供非常低的比导通电阻和非常短的切换时间。 GaN及其相关合金之间能够形成高质量的异质结结构,因此,在AlGaN/GaN异质结结构中杂质散射减小,从而能够得到高电子迁移率的二维电子气,在AlGaN/GaN异质结结构中存在自发极化和压电极化效应,这使得它的二维电子气浓度比传统异质结结构高一个数量级左右。因而由AlGaN/GaN异质结结构构成的器件GaN HEMTs能够提供较低的比导通电阻,减小功率器件的损耗。同时GaN HEMTs为宽能带隙半导体材料器件,具有高耐压的特性。 对于GaN HEMTs的衬底,考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。目前GaN HEMT通常选择S1、SiC或蓝宝石作为衬底。单晶Si,是应用很广的半导体材料,作为衬底面积易做大,导热性好,最重要的是价格低廉,适用于商业化生产。所以当前在致力研究在Si衬底上生长GaN器件。但是基于硅衬底的半导体器件,当器件漏端施加高压时会存在纵向击穿问题,从而使器件的耐压能力受到纵向击穿的限制。 由于AlGaN/GaN异质结利用自发极化和压电极化效应形成高密度二维电子气,使这种结构具有很低的导通 ...
【技术保护点】
一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构,其特征在于:III‑V族半导体材料制备的半导体装置;绝缘的DBC基板;所述的半导体装置安装在所述的DBC基板上;所得到的基板通过引线连接到外部封装基板。
【技术特征摘要】
1.一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构,其特征在于: II1-V族半导体材料制备的半导体装置; 绝缘的DBC基板; 所述的半导体装置安装在所述的DBC基板上; 所得到的基板通过引线连接到外部封装基板。2.如权利要求1所述的半导体装置封装结构,其中,所述半导体装置最上层是其中在器件的接入区中形成2DEG的沟道层。3.如权利要求1所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢刚,何志,陈琛,盛况,崔京京,
申请(专利权)人:浙江大学苏州工业技术研究院,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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