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本发明公开了一种提高器件纵向耐压能力的半导体装置封装结构，本发明的半导体装置为采用III-V半导体材料的高电子迁移率器件，通过半导体装置衬底与绝缘的DBC基板相连，所得到的DBC基板再与外部封装相连，可以使得该半导体装置在承受反偏高压时，D...
该专利属于浙江大学苏州工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学苏州工业技术研究院授权不得商用。

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