半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，所述方法先在沟道区的衬底上形成多个沟道结构，形成覆盖所述沟道结构的隔离材料层，再去除位于所述栅切割区上的第一伪沟道结构，在所述隔离材料层中形成隔离槽，在所述隔离槽内填充形成阻断墙，使得后续形成的栅极结构之后，所述栅极结构被所述阻断墙隔断，与采用刻蚀对栅极结构进行切断的工艺相比，所述阻断墙沿栅极结构的延伸方向的尺寸较小，使得断开的栅极结构间的对接方向的间距较小，从而使得所形成的半导体结构沿栅极结构的延伸方向的尺寸进一步缩减，故而能够提高所形成的半导体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展。晶体管作为基本半导体器件之一目前正被广泛应用。所以随着半导体器件密度和集成度的提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越短，传统平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，出现短沟道效应，引起漏电流增大，最终影响半导器件的电学性能。

2、为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面金属氧化物半导体晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)、全包围栅极结构晶体管(gate-all-around fet，gaa)、叉形纳米片场效应结构晶体管(forksheet field-effect transistor，fsfet)和互补式场效晶体管(complementaryfield-e本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件沟道结构包括鳍部、纳米片结构或叉形纳米片结构。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：层间介质层，位于所述源漏掺杂区上且覆盖所述栅极结构的侧壁。

4.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离材料层中形成隔离槽的步骤包括：

6.根据权利要求4或5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离槽的工艺包括自对准刻蚀工艺。</p>

7.根据...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件沟道结构包括鳍部、纳米片结构或叉形纳米片结构。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：层间介质层，位于所述源漏掺杂区上且覆盖所述栅极结构的侧壁。

4.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离材料层中形成隔离槽的步骤包括：

6.根据权利要求4或5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离槽的工艺包括自对准刻蚀工艺。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻断墙的材料包括碳氮化硅和氧化钛中至少一种。

8.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻断墙的工艺包括原子层沉积工艺。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺的工艺参数包括：腔室温度为200℃至800℃，腔室压力为1bar-20bar。

10.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟道结构为鳍部、纳米片结构或叉形纳米片结构。

11.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟道结构为鳍部，形成所述衬底和所述鳍部的步骤包括：提供初始基底；在所述初始基底上形成图案化...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏博，于海龙，吴汉洙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：