【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多晶硅薄膜层淀积方法,其特征在于,包括:提供基底,同一所述基底表面形成有不同材料层,各材料层位于不同区域,或者,至少两个所述基底表面形成有不同的材料层;将所述基底放入反应腔;往所述反应腔内通入预淀积气体,进行预淀积,在所述基底上形成第一多晶硅薄膜层;其中所述预淀积气体包括稀释气体和含硅气体,所述含硅气体的体积比为1%?50%,所述预淀积气体的流速为100?1000sccm;往所述反应腔内通入主淀积气体,进行主淀积,在所述第一多晶硅薄膜层上形成第二多晶硅薄膜层,所述主淀积气体为含硅气体或包括含硅气体与稀释气体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:许忠义,
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
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