半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元周围的所述第一器件区的表面具有自下至上依次层叠的第一器件氧化物层、第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，所述第二器件区具有自下至上依次层叠的第二器件氧化物层和第二器件多晶硅层；在所述基底上制备掩膜层；根据所述掩膜层进行刻蚀，刻蚀所述分栅式闪存单元以外的所述第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，同时选择性刻蚀所述第二器件多晶硅层。本发明专利技术的半导体器件的制备方法，减少了工艺步骤，提高了生产效率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法
本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的非挥发性半导体存储器。图1a-图1l为现有技术中闪存制造方法的各个步骤的剖面结构示意图，如图1a所示，首先，进行步骤S01，提供半导体衬底100，半导体衬底100上具有第一器件区010和第二器件区020；其次，进行步骤S02，在半导体衬底上100依次形成氧化物层101、第一多晶硅层110、所述介质层102、第二多晶硅层120以及第一刻蚀阻挡层111，如图1b所示；然后，进行步骤S03，在第一器件区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元包含对称分布的第一存储位单元和第二存储位单元，所述第一存储位单元包括第一浮栅和第一控制栅，其中，所述第一浮栅和第一控制栅之间具有介质层；所述第二存储位单元包括第二浮栅和第二控制栅，其中，所述第二浮栅和第二控制栅之间具有所述介质层，所述分栅式闪存单元周围的所述第一器件区的表面具有自下至上依次层叠的第一器件氧化物层、第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，所述第二器件区具有自下至上依次层叠的第二器件氧化物层和第二器件多晶硅层；在所述基底上制备掩膜层，所述掩膜层...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元包含对称分布的第一存储位单元和第二存储位单元，所述第一存储位单元包括第一浮栅和第一控制栅，其中，所述第一浮栅和第一控制栅之间具有介质层；所述第二存储位单元包括第二浮栅和第二控制栅，其中，所述第二浮栅和第二控制栅之间具有所述介质层，所述分栅式闪存单元周围的所述第一器件区的表面具有自下至上依次层叠的第一器件氧化物层、第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，所述第二器件区具有自下至上依次层叠的第二器件氧化物层和第二器件多晶硅层；在所述基底上制备掩膜层，所述掩膜层覆盖所述分栅式闪存单元，并选择性覆盖所述第二器件区；根据所述掩膜层进行刻蚀，刻蚀所述分栅式闪存单元以外的所述第一多晶硅层、所述介质层以及第二多晶硅层，同时选择性刻蚀所述第二器件多晶硅层，以形成第二器件栅极。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述分栅式闪存单元为共享字线的分栅式闪存单元，所述第一存储位单元和所述第二存储位单元共享一个字线。3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅层、介质层以及第二多晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：于涛，王哲献，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：