一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；接着将3～8nm粒径可控、单分散好的金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层纳米颗粒点阵；最后再利用ALD方法在单层纳米颗粒点阵表面覆盖一层10~30nm厚度的高介电材料控制层。本发明专利技术利用湿化学法在合成大小可控、单分散性好的金属纳米颗粒方面的优势，通过廉价的浸渍涂覆或旋涂的方法，在ALD沉积的超薄高介电膜层上自组装单层有序金属纳米颗粒点阵，然后再ALD生长一层厚度为10～30纳米的高介电薄膜控制层，实现一种超高密度单层纳米晶存储器的制备。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10?nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；2）采用湿化学法合成3～8?nm粒径可控、单分散性好的金属纳米颗粒；3）接着将金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层纳米颗粒点阵；4）最后再利用ALD方法在单层纳米颗粒点阵表面覆盖一层10~30?nm厚度的高介电材料控制层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓杰，李爱东，高墨昀，李学飞，吴迪，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：