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本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有一分栅式闪存单元，所述分栅式闪存单元周围的所述第一器件区的表面具有自下至上依次层叠的第一器件氧化物层、第一多晶硅层、所述介质层...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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