多晶硅层的形成方法技术

一种多晶硅层的形成方法，包括：提供基底；将所述基底放入反应腔内；往所述反应腔内通入含硅气体和第一掺杂气体，在所述基底上形成掺杂硅材料层；形成所述掺杂硅材料层后，往所述反应腔内通入流速为200～700sccm的第二掺杂气体，形成掺杂多晶硅层；其中反应腔内的温度大于570℃，且大于形成掺杂硅材料层时反应腔内的温度。通过本技术方案可以提高制备得到的掺杂多晶硅层的掺杂浓度，有效减小多晶硅层的电阻率。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅层的形成方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及到一种多晶硅层的形成方法。
技术介绍
应用多晶硅栅极的半导体器件仍然被广泛的应用和制造，但多晶硅是一种半导体材料，其电阻率比较高，目前常用掺杂杂质的方法来降低其电阻率。现有技术中，常用LPCVD（低压化学气相淀积）方法来形成多晶硅层，利用SiH4（硅烷）气体作为气源，通过热分解生成多晶硅，淀积到基底上形成多晶硅层；并在SiH4气体中混入AsH3、PH3、B2H6等气体来对生成的多晶硅进行原位掺杂。但是使用这种方法来降低多晶硅层电阻率的能力非常有限，由于受到多晶硅对杂质固溶度的限制，杂质的浓度一般为1×1021～1×1022atom/cm3（原子每立方厘米），掺杂后的多晶硅层的电阻率约为40～100Ω·cm（欧姆·厘米）。利用这样的多晶硅层形成的多晶硅栅极的电阻率无法满足高速器件对速度和频率的要求。而且，现有技术中，多晶硅层在一次淀积过程完成，容易在多晶硅层中形成压应力，随着半导体器件尺寸的不断减小，这种压应力很可能导致器件的失效。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是现有技术中，制备得到的多晶硅层电阻率大，而且存在压应力。为解决上述问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅层的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；将所述基底放入反应腔内；往所述反应腔内通入含硅气体和第一掺杂气体，在所述基底上形成掺杂硅材料层；形成所述掺杂硅材料层后，往所述反应腔内通入流速为200～700sccm的第二掺杂气体，形成掺杂多晶硅层；其中反应腔内的温度大于570℃，且大于形成掺杂硅材料层时反应腔内的温度。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅层的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；将所述基底放入反应腔内；往所述反应腔内通入含硅气体和第一掺杂气体，在所述基底上形成掺杂硅材料层，其中形成所述掺杂硅材料层包括：所述反应腔内的温度小于570℃，所述掺杂硅材料层中的硅为非晶硅，或者所述反应腔内的温度大于570℃，所述掺杂硅材料层中的硅为多晶硅；形成所述掺杂硅材料层后，往所述反应腔内通入流速为200～700sccm的第二掺杂气体对所述掺杂硅材料层进行掺杂，以形成掺杂多晶硅层，其中反应腔内的温度大于570℃，且大于形成掺杂硅材料层时反应腔内的温度，形成的所述掺杂多晶硅层的厚度小于预定厚度；以及重复所述形成掺杂硅材料层和所述形成掺杂多晶硅层的步骤，直至得到预定厚度的掺杂多晶硅层；其中，所述第一掺杂气体和所述第二掺杂气体的掺杂类型相同。2.如权利要求1所述的多晶硅层的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂多晶硅层时，所述反应腔内的温度为580～680℃。...

【专利技术属性】
技术研发人员：许忠义，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：