【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体晶圆掺杂扩散技术，其特征是：用硼、磷、砷、锑等掺杂物掺杂硅晶圆的沉积阶段包括在一个定义温度范围内的温度下在硅晶圆表面用选中的掺杂物形成大量的掺杂物层的步骤，大量掺杂物层在很短的一段时间内以相对较快的速度在硅晶圆上形成；扩散阶段包括在一个定义温度的基础上慢慢提高到一个相对高的温度和在特定时期保持这个温度，这样特定量的掺杂物将扩散到晶圆中；然后从上述晶圆中去除多余的掺杂物层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李真，
申请(专利权)人：苏州贝克微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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