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本发明公布了一种半导体晶圆掺杂扩散技术，向半导体材料中掺杂杂质的过程要进行多个步骤，首先在一个相对较低的温度下以高速率在半导体晶圆上形成一个高浓度的掺杂物层，然后慢慢提高温度提供一个初始的杂质扩散。在用腐蚀的方法去除过多的掺杂层后，基本的杂...
该专利属于苏州贝克微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州贝克微电子有限公司授权不得商用。

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