平面可控硅器件芯片终端保护方法技术

本发明专利技术专利涉及一种平面可控硅器件芯片终端保护方法，属于电力电子器件芯片工艺技术领域。包括以下操作步骤：步骤一、在N-单晶硅片上依次进行隔离P+区、阳极P区、门极P区和阴极N+区扩散形成硅衬底片，并在硅衬底片表面形成一定厚度的氧化层；步骤二、将步骤一制得的表面有氧化层的硅衬底片在室温下用氢氟酸腐蚀溶液去除表面氧化层，制得硅衬底；步骤三、硅衬底表面依次生长掺氧多晶硅层、掺氮多晶硅层；步骤四、掺氮多晶硅层上依次生长下二氧化硅层、磷硅玻璃层、上二氧化硅层；步骤五、将完成步骤四后的硅衬底退火；步骤六、在硅衬底表面刻出门极区引线孔窗口及阴极区引线孔窗口。本发明专利技术方法简单，操作容易。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
平面可控硅器件芯片终端保护方法，其特征是包括以下操作步骤：步骤一、在N?单晶硅片上依次进行隔离P+区、阳极P区、门极P区和阴极N+区扩散形成硅衬底片，并在硅衬底片表面形成一定厚度的氧化层；步骤二、将步骤一制得的表面有氧化层的硅衬底片在室温下用氢氟酸腐蚀溶液去除表面氧化层，制得硅衬底（1）；步骤三、采用低压化学气相沉积的方法，在600?650℃，80?120mTor环境下，将步骤二制得的硅衬底（1）表面依次生长掺氧多晶硅层（2）、掺氮多晶硅层（3）；步骤四、采用低压化学气相沉积的方法，在步骤三的掺氮多晶硅层（3）上依次生长下二氧化硅层（4）、磷硅玻璃层（5）、上二氧化硅层（6）；步骤五、将完成步骤四后的硅衬底（1）退火，退火温度为800?850℃，退火气氛为N2或O2，退火时间为30?60min；步骤六、采用光刻、湿法及干法刻蚀相结合的刻蚀方法在硅衬底（1）表面刻出门极区引线孔窗口及阴极区引线孔窗口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王仁书，刘纪云，卞家奇，祝方明，
申请(专利权)人：扬州中芯晶来半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：