无损结形成方法技术

此掺杂方法的实施例可用以改进结形成。将例如氦或另一惰性气体等植入物质植入到工件中到达第一深度(204)。在所述工件的表面上沉积掺杂剂。在退火期间，掺杂剂扩散到所述第一深度。所述惰性气体离子可在所述植入期间使所述工件至少部分非晶化。所述工件可为平面的或非平面的。所述植入和沉积可在不破坏真空的情况下在系统中发生。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及结形成,且更明确地说,涉及在沉积之前使用离子植入的结形成。
技术介绍
离子植入(ion implantation)是用于将导电性更改杂质(conductivity-altering impurity)引入工件(workpiece)中的标准技术。将所要的杂质材料在离子源中离子化，对离子进行加速以形成具有规定能量的离子束，且引导所述离子束到工件表面处。离子束中的高能离子穿透到工件材料块中，且嵌入到工件材料的晶格(crystalline lattice)中以形成具有所要导电性的区。在硅工件中，一个硅原子通常以四面体形式结合到四个相邻硅原子以在整个工件中形成次序井然的晶格。这可称为金刚石立方晶体结构(diamondcubic crystalstructure)。相反,这种次序在非晶硅中并不存在。而是,非晶硅中的硅原子形成随机网 络，硅原子可能不以四面体形式结合到四个其它硅原子。实际上，一些硅原子可具有悬挂键(dangling bond)。使用非晶化植入(amorphizing implant)(例如非晶化前植入(pre-amorphizingimplant, PAI))来对工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯多夫·R·汉特曼，卢多维克·葛特，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：
国别省市：