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此掺杂方法的实施例可用以改进结形成。将例如氦或另一惰性气体等植入物质植入到工件中到达第一深度(204)。在所述工件的表面上沉积掺杂剂。在退火期间，掺杂剂扩散到所述第一深度。所述惰性气体离子可在所述植入期间使所述工件至少部分非晶化。所述工件可...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。

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