【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种光罩的检测结构及检测方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，半导体器件的制备趋于微型化，目前已经发展到纳米级别，同时常规器件的制备工艺逐渐成熟。在半导体器件的制备过程中，首先通过微影成像得到设计电路，然后通过制程将所述设计图案精确的定义在光罩上，并利用蚀刻程序将光罩上的图案转移至半导体基底上从而制得所需要线路结构。随着半导体技术的不断发展，相位移光罩（Phase Shift Mask，PSM）得到广泛的应用，PSM采用双曝光（Double-exposure），并且选用0和180的相位，通过在有图形的区域加入材料，与无图形的区域形成180的相位差。在半导体量产制程中所使用的相位移光罩的制备方法通常包括在平整光洁的玻璃（或石英）基版上通过直流磁控溅射沉积感光材料氮化铬-氮氧化铬从而形成铬膜基版；然后在该铬膜基版上均匀涂敷一层光致抗蚀剂或电子束抗蚀剂制成匀胶铬版，该匀胶铬版即为光掩膜基板，其是制作微缩几何图形的理想感光性空白板。所述PSM其转移图案的最终结构除了透光基材的部分外，大都具有光遮蔽作用的膜层，如通常使用的具有完全光遮蔽作用的铬金属（Cr）层及具有相位移作用的相位移材料层。其中所述PSM中的铬金属（Cr）位于铬晶环上，例如正八边形的晶环。在完成所述PSM的制备后需要对所述PSM进行缺陷的检测，以排除所述PSM中存在的缺陷，在缺陷的...
【技术保护点】
一种光罩的检测方法，包括：步骤（a）提供光罩，所述光罩中具有相互隔离的铬晶环组成的铬晶环阵列；步骤（b）在所述光罩中确定检查区域的范围，以将所述铬晶环阵列中最外侧的水平边框和竖直边框设置在所述检查区域以外，设定为非检查区域；步骤（c）在所述光罩中设置第一非检查区域阵列，覆盖所述铬晶环阵列内部所述铬晶环的水平边框和竖直边框，以形成非检查区域；步骤（d）在所述光罩中设置第二非检查区域阵列，覆盖所述铬晶环阵列内部所述铬晶环的斜边边框，以形成非检查区域。
【技术特征摘要】
1.一种光罩的检测方法，包括：
步骤（a）提供光罩，所述光罩中具有相互隔离的铬晶环组成的铬晶环阵
列；
步骤（b）在所述光罩中确定检查区域的范围，以将所述铬晶环阵列中最
外侧的水平边框和竖直边框设置在所述检查区域以外，设定为非检查区域；
步骤（c）在所述光罩中设置第一非检查区域阵列，覆盖所述铬晶环阵列
内部所述铬晶环的水平边框和竖直边框，以形成非检查区域；
步骤（d）在所述光罩中设置第二非检查区域阵列，覆盖所述铬晶环阵列
内部所述铬晶环的斜边边框，以形成非检查区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括步
骤（e），在所述光罩中设置第三非检查区域阵列，覆盖所述铬晶环阵列最外
侧的斜边边框，以形成非检查区域。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三非检查区域阵列
包括相互隔离设置的多个方形图案。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三非检查区域阵列
设置于所述第二非检查区域阵列的外侧，以包围所述第二非检查区域阵列。
5.根据权利要求2或4所述的方法，其特征在于，所述第三非检查区域
阵列以所述第二非检查区域阵列为参照，通过手动的方法插入。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铬晶环为正八边形，
所述正八边形的边框上具有金属铬，所述正八边形的边框需要设定为非检查
区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检查区域的边框和所
述铬晶环阵列中最外侧的水平边框和竖直边框重合，或者所述检查区域的边
框设置在所述铬晶环阵列中最外侧的水平边框和竖直边框的内侧，以将所述
铬晶环阵列中最外侧的水平边框和竖直边框设定为非检查区域。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一非检查区域阵列
为水平设置和竖直设置的条形切割道。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，每个水平设置的所述条形
切割道的边框与相邻两个所述铬晶环的水平边框重合设置；或设置于所述铬
\t晶环的水平边框的内部；
每个竖直设置的所述条形切割道的边框与相邻两个所述铬晶环的竖直边
框重...
【专利技术属性】
技术研发人员：凌文君，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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