用于控制异质外延生长的III族氮化物层的应力的层结构制造技术

技术编号:9175430 阅读:140 留言:0更新日期:2013-09-20 01:08
本发明专利技术描述了一种III-N层结构,其包含在异质基材上的III-N缓冲层、附加的III-N层、第一III-N结构和第二III-N层结构。在III-N缓冲层之上的第一III-N结构包含至少两个III-N层,每个III-N层具有铝组成,并且这两个III-N层中更接近于III-N缓冲层的III-N层具有更大的铝组成。第二III-N结构包含III-N超晶格,所述III-N超晶格包含与至少两个III-N势垒层相互交错的至少两个III-N势阱层。第一III-N结构和第二III-N结构在附加的III-N层和异质基材之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:斯塔西亚·凯勒尼古拉斯·费希滕鲍姆
申请(专利权)人:特兰斯夫公司
类型:
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1