半导体基板、半导体装置、以及半导体基板的制造方法制造方法及图纸

GaN系半导体在晶面方位为(111)的硅基板上外延生长。GaN的晶格常数与硅(111)面的晶格常数之差大、约为17%，所以被生长的GaN中导入超过1010cm-2的位错。由于位错、使用GaN的晶体管的漏泄电流增大。另外，晶体管的迁移率降低。本发明专利技术公开了一种半导体基板，具有硅基板与在硅基板的(150)面上外延生长的氮化物半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩见正之，古川拓也，
申请(专利权)人：先进动力设备技术研究协会，
类型：
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