【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供可厚膜化、翘曲小、且漏泄电流小的半导体元件。其包括：基板、在基板的上方形成的第一缓冲区、在第一缓冲区上形成的第二缓冲区、在第二缓冲区上形成的活性层、在活性层上形成的至少两个电极；第一缓冲区至少包括一层依次层积有第一半导体层、第二半导体层的复合层；第二缓冲区至少包括一层依次层积有第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层的复合层；第四半导体层的晶格常数具有第三半导体层与第五半导体层之间的晶格常数。【专利说明】
本专利技术涉及。
技术介绍
一直以来，已知有在硅基板上设置重复形成了 AlN层和GaN层的缓冲区，并在其上形成了氮化物类半导体区的半导体元件。该缓冲区，具有缓和硅基板与氮化物类半导体区之间的晶格常数差或热膨胀系数差，从而降低裂纹的发生或位错的功能。但如果在AlN层和GaN层的异质结界面中生成二维电子气的话，则经由该二维电子气向半导体元件流通漏泄电流。为了降低该漏泄电流，有在AlN层与GaN层之间设置AlGaN层的方法的专利技术(如，参照专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献I专利第四525894号公报
技术实现思路
本专利技...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：古川拓也，加藤祯宏，岩见正之，内海诚，
申请(专利权)人：先进动力设备技术研究协会，
类型：
国别省市：
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