半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
存在利用AlGaN/GaN异质结并将GaN层作为电子移动层的结构的场效应晶体管。GaN是具有宽的带隙(band gap)并具有高的击穿电压强度、高的饱和电子速度的材料，因此有望成为形成能够实现大电流、高耐电压、低导通电阻动作的半导体装置的材料。因此，能够节省超过娃功率器件(silicon power devices)的界限的电力，并且研究利用了 GaN类的材料的半导体装置来作为下一代的高效率开关元件。在这样的场效应晶体管等的半导体装置中，通常在形成栅电极或者漏电极等之后，为了钝化(passivation)等，而在场效应晶体管等的整个表面上形成绝缘膜。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-103408号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但是，为了实现利用晶体管的电力用的高效的开关元件，需要降低导通电阻、实现常闭动作以及使开关元件实现高耐电压化。其中，就使开关元件实现高耐电压化而言，随着所使用的用途等而也不同 ，但是通常需要几百伏至几千伏的大的耐电压性能，因此在利用了肖特基栅(Schottky gate)的结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：中村哲一，尾崎史朗，武田正行，宫岛豊生，多木俊裕，金村雅仁，今西健治，吉川俊英，渡部庆二，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：
国别省市：