【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】领域本专利技术的实施例通常涉及形成半导体器件的方法。背景不同器件类型，如η型金属氧化物半导体(NMOS)器件或ρ型金属氧化物半导体(PMOS)器件，典型地需要在各自栅极堆叠中的等效层具有实质上不同的成分，以达成操作各器件所必须的期望阈值电压。举例而言，不同器件可能需要在它们各自的栅极堆叠中的高介电常数介电层或金属层的一或多者具有不同的成分，以达成操作各器件所必须的期望阈值电压。对不同层具有不同成分的需求典型地需要多重掩模步骤及沉积步骤，以沉积各层，因而增加了制造的成本及时间。因此，本案专利技术人已发展出形成半导体器件的改良方法。专利技术概沭本文提供于基板上形成器件的方法。在某些实施例中，于基板上形成器件的方法可包含下列步骤:提供基板，基板具有部分制造的第一器件设置于基板上，第一器件包括第一膜堆叠，第一膜堆叠包含第一介电层及设置于第一介电层顶上的第一高介电常数介电层；于第一膜堆叠顶上沉积第一金属层；以及修饰第一金属层的第一上表面，以调整第一器件的第一阈值电压，其中第一上表面的修饰不延伸穿过至第一金属层的第一下表面。在某些实施例中，所述方法可进一步包含下列步骤:在沉积第...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·G·沃德，伊戈尔·V·佩德斯，桑尼·江，严·B·丹，安德鲁·达拉克，彼得·I·波尔什涅夫，斯瓦米纳坦·斯里尼瓦桑，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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