半导体元件及其制造方法技术

技术编号:9360644 阅读:97 留言:0更新日期:2013-11-21 06:48
本发明专利技术提供一种具有降低位错密度的缓冲层的半导体元件。该半导体元件包括:衬底,在衬底上方形成的缓冲区域,在缓冲区域上形成的活性层,以及在活性层上形成的至少2个电极;缓冲区域至少具有一层依次层积具有第1晶格常数的第1半导体层,具有与第1晶格常数不同的第2的晶格常数的第2半导体层,具有第1晶格常数和第2的晶格常数之间的第3晶格常数的第3半导体层得到的复合层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:古川拓也加藤祯宏岩见正之内海诚
申请(专利权)人:先进动力设备技术研究协会
类型:
国别省市:

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