气相生长装置及气相生长方法制造方法及图纸

技术编号:9360645 阅读:136 留言:0更新日期:2013-11-21 06:48
本发明专利技术涉及一种气相生长装置及气相生长方法。所述气相生长装置具备:气相生长室、加热室、混合室、对三氯硅烷气体进行贮藏的第一贮藏库、对与氯化氢气体发生反应的硅烷类气体进行贮藏的第二贮藏库。加热室连通于第一贮藏库和混合室,并且在将三氯硅烷气体加热之后,向混合室进行供给。混合室连通于第二贮藏库和气相生长室,并使从加热室供给的气体与硅烷类气体混合,且将该混合气体向气相生长室进行供给。加热室的室内温度高于混合室的室内温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:小泽隆弘中嶋健次全基荣伊藤孝浩
申请(专利权)人:丰田自动车株式会社
类型:
国别省市:

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