硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法技术

本发明专利技术提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III-V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。本发明专利技术利用硅(111)晶面有较高的悬挂键密度和较低的表面自由能的特性，可以低成本实现在两段硅纳米线之间硅(111)晶面侧壁上III-V族纳米线的选区横向生长。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅基III?V族纳米线选区横向外延生长的方法，其特征在于，包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除所述整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在所述左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III?V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩伟华，杨晓光，杨涛，王昊，洪文婷，杨富华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
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