用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体技术

技术编号：9360643 阅读：114 留言：0更新日期：2013-11-21 06:48

本发明专利技术提出一种用于制造薄膜半导体本体的方法，所述方法具有下述步骤：提供生长衬底（1）；将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）外延地生长到生长衬底（1）上；用半导体材料（6）填充凹部（4），使得产生棱锥形的耦合输出结构（13）；将具有有源层（8）的半导体层序列（7）施加到耦合输出结构（13）上，所述有源层适合于产生电磁辐射；将载体（11）施加到半导体层序列（7）上，以及至少将具有漏斗形和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）剥离，使得棱锥形的耦合输出结构（13）作为突出部（14）构成在薄膜半导体本体的辐射出射面（12）上。此外，提出一种薄膜半导体本体。