氮化物系半导体装置制造方法及图纸

技术编号：9175439 阅读：124 留言：0更新日期：2013-09-20 01:09

本发明专利技术目的在于提供一种氮化物系半导体装置，其防止MOS型器件的栅绝缘膜的损坏，并且提高了可靠性。设置于漏电极（26）与栅电极（28）之间的SBD金属电极（30）与AlGaN层（20）进行肖特基接合。此外，SBD金属电极（30）与源电极（24）连接，从而电短路。由此，在向栅电极（28）输入截止信号时，MOSFET部（32）变为截止状态，从而MOSFET部（32）的漏侧的电压接近漏电极（26）的电压值。在漏电极（26）的电压上升时，SBD金属电极（30）的电压值低于MOSFET部（32）的漏侧的电压值，所以通过SBD金属电极（30）对MOSFET部（32）的漏侧和漏电极（26）进行电切断。