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本发明目的在于提供一种氮化物系半导体装置，其防止MOS型器件的栅绝缘膜的损坏，并且提高了可靠性。设置于漏电极（26）与栅电极（28）之间的SBD金属电极（30）与AlGaN层（20）进行肖特基接合。此外，SBD金属电极（30）与源电极（24...
该专利属于先进动力设备技术研究协会所有，仅供学习研究参考，未经过先进动力设备技术研究协会授权不得商用。

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