非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法技术

本发明专利技术揭示一种非易失性存储器单元，其包含第一及第二电极。可编程材料及选择装置以串联方式被接纳于所述第一及第二电极之间且与所述第一及第二电极串联。电流传导材料以串联方式位于所述可编程材料与所述选择装置之间且与所述可编程材料及所述选择装置串联。本发明专利技术揭示一种此类非易失性存储器单元的垂直堆叠层的阵列。本发明专利技术揭示形成非易失性存储器单元的阵列的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：增涛·T·刘，戴维·H·威尔士，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：