System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 使用多页转换单元的经保留存储器页的读取和写入地址转换制造技术_技高网

使用多页转换单元的经保留存储器页的读取和写入地址转换制造技术

技术编号:41374459 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-20 10:18
本申请涉及使用多页转换单元的经保留存储器页的读取和写入地址转换。在一些实施方案中,存储器装置可接收包含将写入到所述存储器装置的转换单元TU的多个存储器页的数据的写入命令。所述TU的所述多个存储器页可跨越所述存储器装置的多个存储器平面。所述存储器装置可基于所述存储器装置的一或多个不良块及关于是否将保留所述存储器装置的一或多个存储器页的确定而识别所述数据将要写入的所述TU的所述多个存储器页。所述存储器装置可将所述数据写入到所述TU的所述多个存储器页。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及存储器装置、存储器装置操作,并且例如涉及使用多页转换单元的经保留存储器页的读取和写入地址转换


技术介绍

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置中存储信息。存储器装置包含存储器单元。存储器单元是能够被编程为两个或更多个数据状态中的某一数据状态的电子电路。例如,存储器单元可编程为表示单个二进制值的数据状态,通常由二进制“1”或二进制“0”表示。作为另一实例,存储器单元可以编程为表示小数值的数据状态(例如,0.5、1.5等)。为了存储信息,电子装置可以写入或编程一组存储器单元。为了存取所存储的信息,电子装置可以从所述一组存储器单元读取或感测所存储的状态。

2、存在各种类型的存储器装置,包含随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、静态ram(sram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、全息ram(hram)、快闪存储器(例如,nand存储器和nor存储器)等等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。即使在没有外部电源的情况下,非易失性存储器(例如,快闪存储器)也可长时间存储数据。易失性存储器(例如,dram)可能会随着时间的推移丢失所存储的数据,除非易失性存储器通过电源刷新。


技术实现思路

1、本公开的一个方面提供一种存储器装置,包括:一或多个组件,其配置成:识别与读取命令相关联的转换单元(tu),其中所述tu包含跨越所述存储器装置的多个存储器平面的多个存储器页;基于逻辑到物理映射表,识别所述tu的所述多个存储器页中的初始存储器页;基于所述初始存储器页且基于以下中的至少一个,识别所述tu的所述多个存储器页中的一或多个额外存储器页:所述存储器装置的一或多个不良块的指示,或识别所述初始存储器页或识别所述多个存储器平面中包含所述初始存储器页的存储器平面的索引值;以及从包含在所述tu中的所述初始存储器页和所述一或多个额外存储器页读取数据。

2、本公开的另一方面提供一种存储器装置,包括:一或多个组件,其配置成:识别与读取命令相关联的转换单元(tu),其中所述tu包含跨越所述存储器装置的多个存储器平面的多个存储器页;基于逻辑到物理映射表,识别所述tu的所述多个存储器页中的初始存储器页,其中所述初始存储器页包含在所述多个存储器平面中的第一存储器平面中;基于所述初始存储器页且基于所述存储器装置的一或多个不良块的指示,识别包含在所述tu的所述多个存储器页中的一或多个额外存储器页,其中所述一或多个额外存储器页包含在所述多个存储器平面中的一或多个额外存储器平面中;以及从包含在所述tu中的所述初始存储器页和所述一或多个额外存储器页读取数据。

3、本公开的另一方面提供一种存储器装置,包括:一或多个组件,其配置成:识别与读取命令相关联的转换单元(tu),其中所述tu包含跨越所述存储器装置的多个存储器平面的多个存储器页;基于逻辑到物理映射表,识别所述tu的所述多个存储器页中的初始存储器页,其中所述初始存储器页包含在所述多个存储器平面中的第一存储器平面中;确定所述第一存储器平面的平面索引值;基于所述初始存储器页且基于所述平面索引值,识别包含在所述tu的所述多个存储器页中的一或多个额外存储器页,其中所述一或多个额外存储器页包含在所述多个存储器平面中的一或多个额外存储器平面中;以及从包含在所述tu中的所述初始存储器页和所述一或多个额外存储器页读取数据。

4、本公开的另一方面提供一种方法,包括:通过存储器装置接收包含将写入到所述存储器装置的转换单元(tu)的多个存储器页的数据的写入命令,其中所述tu的所述多个存储器页跨越所述存储器装置的多个存储器平面;基于以下,通过所述存储器装置识别所述数据将要写入的所述tu的所述多个存储器页:所述存储器装置的一或多个不良块,及关于是否将保留所述存储器装置的一或多个存储器页的确定;以及通过所述存储器装置将所述数据写入到所述tu的所述多个存储器页。

5、本公开的另一方面提供一种设备,包括:用于基于包含在所述设备中的一组不良块的指示及转换单元(tu)大小而存储所述设备的一组经保留存储器页的指示的构件,其中所述tu大小指示包含在所述设备的一个tu中的存储器页的数量,其中所述tu包含跨越所述设备的多个存储器平面的多个存储器页;以及用于阻止将用户数据写入到所述一组经保留存储器页的构件。

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【技术保护点】

1.一种存储器装置,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中包含在所述TU中的所有存储器页包含在单个多平面页带区和单个多平面块带区中。

3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述TU的至少一个存储器页面包含在第一多平面页中,且所述TU的至少一个其它存储器页包含在第二多平面页中。

4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中包含在所述TU中的所有存储器页是经取消保留存储器页,且

5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述一或多个经保留存储器页是位于所述多平面页带区的末端处且数量小于包含在所述TU中的存储器页的数量的经保留存储器页。

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中位于所述多平面页带区的所述末端处的经保留存储器页的所述数量是基于每个包含在所述多平面页带区中的存储器单元存储的位的数量。

7.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述一或多个组件进一步配置成:

8.一种存储器装置,包括:

9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中为了识别所述TU的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配置成:

10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中为了识别所述TU的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配置成:

11.根据权利要求9所述的存储器装置,其中为了识别所述TU的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配置成:

12.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述偏移阈值是基于包含在所述TU中的存储器页的数量。

13.根据权利要求8所述的存储器装置,其中所述存储器装置的所述一或多个不良块的所述指示包含数据结构,其存储对应于包含在所述一或多个不良块中的一组页的一组页索引值的指示。

14.根据权利要求13所述的存储器装置,其中对于每存储器单元存储两个或更多个位的存储器单元,所述数据结构仅存储对于包含不良块的每一平面的每平面初始页的指示。

15.一种存储器装置,包括:

16.根据权利要求15所述的存储器装置,其中为了识别所述TU的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配置成:

17.根据权利要求16所述的存储器装置,其中所述一或多个组件进一步配置成:

18.根据权利要求16所述的存储器装置,其中所述第一条件是所述平面索引值是偶数。

19.根据权利要求15所述的存储器装置,其中为了识别所述TU的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配置成:

20.根据权利要求19所述的存储器装置,其中所述第二条件是所述平面索引值是奇数。

21.根据权利要求15所述的存储器装置,其中所述一或多个组件进一步配置成:

22.根据权利要求21所述的存储器装置,其中为了选择所述第一存储器平面,所述一或多个组件配置成:

23.根据权利要求21所述的存储器装置,其中所述一或多个组件进一步配置成:

24.根据权利要求21所述的存储器装置,其中为了选择所述第一存储器平面,所述一或多个组件配置成:

25.根据权利要求21所述的存储器装置,其中所述一或多个组件进一步配置成:

26.一种方法,其包括:

27.根据权利要求26所述的方法,其中指示所述一或多个不良块的数据结构存储在所述存储器装置的存储器中;且

28.根据权利要求27所述的方法,其进一步包括:

29.根据权利要求26所述的方法,其进一步包括:

30.根据权利要求29所述的方法,其中仅在包含在要写入的所述存储器装置的裸片中的平面的数量不是二的次方时才准许所述存储器装置写入到包含在所述多平面页中的所述第一组顺序存储器页和包含在所述下一顺序多平面页中的所述第二组顺序存储器页。

31.根据权利要求26所述的方法,其进一步包括:

32.根据权利要求31所述的方法,其中所述至少一个存储器页经保留以使得所述初始存储器页或包含所述初始存储器页的存储器平面的索引值满足某一条件,或

33.一种设备,其包括:

34.根据权利要求33所述的设备,其进一步包括用于将非用户数据写入到所述一组经保留存储器页的构件。

35.根据权利要求34所述的设备,其中所述非用户数据包括虚设数据或奇偶校验数据。

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中包含在所述tu中的所有存储器页包含在单个多平面页带区和单个多平面块带区中。

3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述tu的至少一个存储器页面包含在第一多平面页中,且所述tu的至少一个其它存储器页包含在第二多平面页中。

4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中包含在所述tu中的所有存储器页是经取消保留存储器页,且

5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述一或多个经保留存储器页是位于所述多平面页带区的末端处且数量小于包含在所述tu中的存储器页的数量的经保留存储器页。

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中位于所述多平面页带区的所述末端处的经保留存储器页的所述数量是基于每个包含在所述多平面页带区中的存储器单元存储的位的数量。

7.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述一或多个组件进一步配置成:

8.一种存储器装置,包括:

9.根据权利要求8所述的存储器装置,其中为了识别所述tu的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配置成:

10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中为了识别所述tu的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配置成:

11.根据权利要求9所述的存储器装置,其中为了识别所述tu的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配置成:

12.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述偏移阈值是基于包含在所述tu中的存储器页的数量。

13.根据权利要求8所述的存储器装置,其中所述存储器装置的所述一或多个不良块的所述指示包含数据结构,其存储对应于包含在所述一或多个不良块中的一组页的一组页索引值的指示。

14.根据权利要求13所述的存储器装置,其中对于每存储器单元存储两个或更多个位的存储器单元,所述数据结构仅存储对于包含不良块的每一平面的每平面初始页的指示。

15.一种存储器装置,包括:

16.根据权利要求15所述的存储器装置,其中为了识别所述tu的所述一或多个额外存储器页,所述一或多个组件配...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏猛
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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