【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；其中，该栅极氧化层包括一第一部份位于该通道区域上方，以及一第二部份位于该擦除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部份的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部份的厚度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐德训，陈信铭，杨青松，景文澔，陈纬仁，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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