一种可编程存储器读出自检电路及方法技术

技术编号:14680642 阅读:102 留言:0更新日期:2017-02-22 13:47
本发明专利技术公开了一种可编程存储器的读出自检电路及方法;所述读出自检电路包括:一个二输入异或门,用于检测一位数据经数据传输通路前后的异同;还包括:一个三态反相器,用于控制经数据传输通路传输的数据是否输出到最终的端口,其使能控制端由上述二输入异或门的输出控制;所述读出自检电路,其输入还可扩展为多位数据,各输入先经一个多输入或非门后作为上述二输入异或门的一个输入,以此来检测多位数据经数据传输通路前后的异同。本发明专利技术能够对数据传输通路上产生的数据错误进行检测,优化可编程存储器的读出性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可编程存储器领域,具体涉及一种存储器数据读出自检电路及方法。
技术介绍
传统的可编程存储器的数据读取,其核心机理是基于脉冲展宽电路对地址信号跳变检测电路产生的窄脉冲进行PWM调制,PWM调制将产生的两个极其重要的信号,一是预充电控制信号,二是数据采样脉冲信号,这两个信号控制着数据从存储器存储单元的读出和锁存,以及数据在数据传输通路的传输与通断。其一,产生于PWM调制模块的预充电控制信号控制着预充电控制电路;预充电控制电路的主要功能就是通过预充电晶体管和放电晶体管产生充电电流给各灵敏放大器,对各灵敏放大器的读取电流通道中的位线,关键反相器的输入端等节点进行快速充电和放电,以达到读锁存操作前的最佳电位工作点,优化存储器的性能。其二,数据采样脉冲信号,其产生来自于PWM调制模块,用于对各灵敏放大器的输出进行二次采样锁存控制,降低噪声等因素的影响,以进一步提高自灵敏放大器读出的数据的稳定性和可靠性。换句话说,数据从存储器存储单元的读出到最终数据输出端口输出,整个读出过程,即数据传输通路,就主要依靠这两个信号和地址译码控制信号的控制。但上述传统的可编程存储器读取电路存在以下两个问题。一、目前的数据采样锁存电路模块,其采样脉冲信号的脉宽和时序在PWM模块就已确定,在制造工艺、环境温度、工作电压等外界因素和动态因素影响下,这会导致在实际采样锁存的时候,传输门在错误的时候打开与关闭,采样和锁存错误的数据,这使得存储器在最终的输出端口输出错误,直接影响了存储器的读出性能。二、目前的数据传输通路,仅仅是一个数据传输通路;数据在数据传输通路中,受PWM调制产生的预充电控制信号和数据采样锁存信号以及地址译码信号的控制,实现逻辑翻转,传输与中断。在读操作期间,缺乏数据自检这个功能,不能确定存储器输出端口最终输出的数据是否是存储器存储单元所存的数据,降低了存储器数据读出的准确性。典型的存储器读出自检电路,是在正式读取数据前“预读”一段特定的数据,其实现机理是在存储器芯片内,或在由存储器芯片组成的系统中引进了大量的传感器,由传感器来实现数据的自检;传感器电路能够实时的检测并报告芯片读取的异常情况,具有较好的实现存储器数据自检测;其缺陷,一是传感器电路不能保证探测到芯片所有的受制造工艺、环境温度、工作电压、噪声等因素影响的工作环境,在未探测到的工作环境下,存储器芯片仍可能读取错误;二是传感器电路探测到存储器芯片处于极端恶劣工作环境时,存储器芯片不一定会读取错误。由上所述,数据从存储器存储单元的读出到最终数据输出端口输出,整个读出过程,即数据传输通路,就主要依靠这两个信号和地址译码控制信号的控制。而存储器在不同的工作条件下,在受制造工艺、环境温度、工作电压、噪声等因素的影响下,数据的传输有各种的延迟或者超前,与理论设计有差别,导致从存储单元读出错误或者数据采样锁存错误,这些错误导致最终读出数据错误,影响存储器的读出性能,降低了可靠性与稳定性。基于上述这样一种随机不稳定状况的存在,本专利技术应运而生。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是如何构造一种用于数据自检的通路,提高存储器读出数据的可靠性与稳定性,优化存储器的读出性能。为了解决上述问题,本专利技术提供了一种可编程存储器读出自检电路,包括:一个二输入异或门,用于检测一位数据经数据传输通路前后的异同;还包括:一个三态反相器,用于控制经数据传输通路传输的数据是否输出到最终的端口,其使能控制端由上述二输入异或门的输出控制;所述检测一位数据经数据传输通路前后的异同是指二输入异或门的两个输入为同一位数据经两个不同传输通路后的结果,这两个结果做一个异或逻辑比较,得到第一处理结果。进一步地,所述的二输入异或门,其特征在于,上述的两个不同传输通路包括:第一传输通路,由可编程存储器的数据传输通路和第一反相器组成,用于传输原始数据;第二传输通路,由第一二输入或非门组成,用于直接引用原始数据,为第二处理结果。所述的三态反相器,其特征在于,其使能控制端为二输入异或门的第一处理结果。进一步地,所述的三态反相器,其特征在于,其输入端为第一传输通路的第一反相器的输出端,其输出端为最终的数据输出端。第一传输通路,其特征在于,所述的数据传输通路为可编程存储器的数据读出通路,由地址端和控制端控制数据的翻转和传输,确保传输前后数据的逻辑电平保持一致。进一步地,其数据输入端为可编程存储器的灵敏放大器中的关键反相器的反向输出,而且该信号被预充电控制信号控制的传输门锁存,以实现存储单元状态的数字逻辑化和确保采样数据正确。所述的读出自检电路,其特征还在于,上述的的数据输入端可扩展为多位。各数据输入端直接输入第一传输通路和第二传输通路的第一多输入或非门,第二处理结果和第一反相器的输出接至所述二输入异或门,其第一处理结果控制所述三态反相器的使能控制端,控制着第一反相器的结果的最终输出。本专利技术还提供了一种可编程存储器读出自检方法,包括:二输入异或门检测一位数据经数据传输通路前后的异同;所述二输入异或门的第一处理结果控制三态反相器的使能控制端,控制着原始数据的最终输出。进一步地,上述二输入异或门的两个输入为同一位数据经第一传输通路和第二传输通路到达异或门的输入端,做异或逻辑比较,得到第一处理结果。进一步地,上述的第一处理结果,其特征在于,当所述二输入异或门的两个输入保持逻辑一致,即同时为逻辑1或逻辑0,第一处理结果为逻辑0;当所述二输入异或门的两个输入逻辑不一致,即一个为逻辑1,另一个为逻辑0,第一处理结果为逻辑1。所述二输入异或门的第一处理结果控制三态反相器的使能控制端,当所述第一处理结果为逻辑0,三态反相器输出原始数据的反相数据;当所述第一处理结果为逻辑1,三态反相器输出为高阻状态,原始数据就得不到输出。所述的读出自检方法,其特征在于,其输入还可扩展为多位数据,读出自检输入的数据与可编程存储器的地址关系紧密。可编程存储器的地址成功命中某存储单元,且该存储单元存储数据为逻辑0时,与该存储单元对应的读出自检输入端的输入数据为逻辑1,而且逻辑1被预充电控制信号控制的传输门锁存,确保采样数据正确。进一步地,可编程存储器的地址成功命中某存储单元,且该存储单元存储数据为逻辑1时,与该存储单元对应的读出自检输入端的输入数据为逻辑0,而且逻辑0被预充电控制信号控制的传输门锁存,确保采样数据正确。进一步地,可编程存储器的地址未命中某存储单元时,无论该存储单元存储的数据为逻辑1还是逻辑0,与该存储单元对应的读出自检输入端的输入数据为逻辑0,而且传输门一直锁存信号为逻辑0,确保输入端数据稳定。本专利技术的可编程存储器读出自检电路可以对从可编程存储器的存储单元读出的每一位数据进行实时自检,且对存储器的读出时间性能指标影响不大,因此读出自检电路可以提高存储器的数据读出准确性,易于知晓读出数据是否错误,优化存储器的读出性能。附图说明图1为本专利技术一位可编程存储器读出自检电路结构示意图。图2为本专利技术八位可编程存储器读出自检电路结构示意图。具体实施方式下面将结合附图及实施例对本专利技术的技术方案进行更详细的说明。实施例一。如图1所示,这是一位的数据读出自检电路,其输入为一位位线数据,且经预充电控制信号控制的传输门锁存。在限定芯片面积,或者仅针对某一冗余行位本文档来自技高网
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一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/58/201610988372.html" title="一种可编程存储器读出自检电路及方法原文来自X技术">可编程存储器读出自检电路及方法</a>

【技术保护点】
一种可编程存储器读出自检电路及方法,包括:一个二输入异或门,用于检测一位数据经数据传输通路前后的异同;还包括:一个三态反相器,用于控制经数据传输通路传输的数据是否输出到最终的端口,其使能控制端由上述二输入异或门的输出控制;所述读出自检电路,其输入还可扩展为多位数据,各输入先经一个第一多输入或非门后作为上述二输入异或门的一个输入,以此来检测多位数据经数据传输通路前后的异同。

【技术特征摘要】
1.一种可编程存储器读出自检电路及方法,包括:一个二输入异或门,用于检测一位数据经数据传输通路前后的异同;还包括:一个三态反相器,用于控制经数据传输通路传输的数据是否输出到最终的端口,其使能控制端由上述二输入异或门的输出控制;所述读出自检电路,其输入还可扩展为多位数据,各输入先经一个第一多输入或非门后作为上述二输入异或门的一个输入,以此来检测多位数据经数据传输通路前后的异同。2.如权利要求1所述的二输入异或门,其特征在于所述检测一位数据经数据传输通路前后的异同是指二输入异或门的两个输入为同一位数据经两个不同传输通路后的结果,这两个结果做一个异或逻辑比较,得到第一处理结果。3.如权利要求2所述的二输入异或门,其特征在于,所述的两个不同传输通路包括:第一传输通路,由可编程存储器的数据传输通路和第一反相器组成,用于传输原始数据;第二传输通路,由第一二输入或非门组成,用于直接引用原始数据,为第二处理结果。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:李建军张钦山
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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