具有编程状态的存储器系统与存储器控制方法技术方案

技术编号:13492094 阅读:103 留言:0更新日期:2016-08-07 04:02
本发明专利技术提出一种具有一编程状态的存储器系统,包括至少一第一存储器、至少一第二存储器以及一控制器。至少一第一存储器的每一者具有多个存储区域以储存数据。至少一第二存储器的每一者具有多个存储区域,用以编程来自该至少一第一存储器的该数据。控制器耦接该第二存储器,用以纪录该数据的一编程状态。当该至少一第一存储器或该至少一第二存储器即将被使用时,借由探询该编程状态检查该编程是否成功,并且该至少一第一存储器储存该数据直到该编程被检查为成功。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提出一种具有一编程状态的存储器系统,包括至少一第一存储器、至少一第二存储器以及一控制器。至少一第一存储器的每一者具有多个存储区域以储存数据。至少一第二存储器的每一者具有多个存储区域,用以编程来自该至少一第一存储器的该数据。控制器耦接该第二存储器,用以纪录该数据的一编程状态。当该至少一第一存储器或该至少一第二存储器即将被使用时,借由探询该编程状态检查该编程是否成功,并且该至少一第一存储器储存该数据直到该编程被检查为成功。【专利说明】
本专利技术是关于一种包括编程状态的存储器系统与存储器控制方法,特别是关于使 用编程状态来检查存储器系统的编程结果。
技术介绍
存储器装置与存储器系统广泛使用于各种电子装置之中。就数据的编程而言,将 数据编程到存储器装置时,通常需要尽快检查其编程的结果。然而,检查编程结果需要很长 的检查时间。尤其在检查期间执行编程结果的检查时,可能会占用电子装置的控制器或固 件(firmware)。然后,固件或控制器的功能会被停止或延迟,直到完成编程结果的检查。因 此,会浪费太多时间,并且会导致电子装置的效能突然劣化。 因此,需要一种高效率且动态调整的存储器控制方法,并且借由使用编程状态来 防止电子装置的效能突然劣化。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供了一种具有一编程状态的存储器系统,包括至少一第一存 储器、至少一第二存储器W及一控制器。至少一第一存储器的每一者具有多个存储区域W 储存数据。至少一第二存储器的每一者具有多个存储区域,用W编程来自该至少一第一存 储器的该数据。控制器禪接该第二存储器,用W纪录该数据的一编程状态。当该至少一第一 存储器或该至少一第二存储器即将被使用时,借由探询该编程状态检查该编程是否成功, 并且该至少一第一存储器储存该数据直到该编程被检查为成功。 本专利技术的一实施例提供了一种具有一编程状态的存储器控制方法,包括纪录自至 少一第一存储器编程至至少一第二存储器的数据的一编程状态;当该至少一第一存储器或 该至少一第二存储器即将被使用时,借由探询该编程状态检查该编程是否成功;W及储存 数据于该至少一第一存储器直到该编程被检查为成功。【附图说明】 为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂,W下结合附图对本专利技术的具 体实施方式作详细说明,其中: 图1是显示根据本专利技术一实施例所述的存储器系统的示意图;[000引图2A与2B是显示根据本专利技术一实施例所述的存储器系统的编程的示意图; 图3A是显示前案所述的顺序写入的编程的示意图; 图3B是显示根据本专利技术一实施例所述的顺序写入的编程的示意图; 图4A是显示前案所述的随机写入的编程的示意图; 图4B是显示根据本专利技术一实施例所述的随机写入的编程的示意图; 图5是显示根据本专利技术一实施例所述的存储器控制方法的示意图。 图中元件标号说明如下: 10~存储器系统; 100-10N~第一存储器; 100A-10NA、100B-10NB、300A-30NA、300B-30NB ~存储区域;[001引 200~控制器; 300-30N~第二存储器;【具体实施方式】 为让本专利技术的目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举出本专利技术的具体实施例, 并配合所附图式,作详细说明如下。目的在于说明本专利技术的精神而非用W限定本专利技术的保 护范围,应理解下列实施例可经由软件、硬件、固件、或上述任意组合来实现。 图1是显示根据本专利技术一实施例所述的存储器系统10的示意图。存储器系统10包 括至少一第一存储器100~10N、一控制器120、W及至少一第二存储器300~30N。举例而言, 第一存储器100~10N为随机存取存储器(RAM),第二存储器300~30N为与非口(NAND)存储 器。如图1所示,第一存储器100~10N的每一者皆具有多个存储区域W储存数据,而每一个 存储区域可包括多个区块。举例而言,第一存储器100包括存储区域100A与100B来储存数 据,并且第一存储器10N包括存储区域10NA与10NB来储存数据。此外,该至少一第二存储器 300~30N的每一者包括多个存储区域,对来自第一存储器100~10N的数据进行编程,并且 每一个存储区域包括多个区块。举例而言,第二存储器300包括存储区域300A与300BW编程 数据,第二存储器30N包括存储区域30NA与30NB W编程数据。在另一实施例中,第二存储器 300~30N可W是存储器装置的不同晶元(die)。进一步而言,控制器200包括存储器系统10 的固件。在另一实施例中,控制器200可包括一微控制器W及唯读存储器(ROM)储存固件码。 微控制器可执行固件码W存取或操作第二存储器300~30N。详细而言,控制器200读取或写 入第二存储器300~30N。要注意的是,在一些实施例中,控制器200更记录、探询及/或更新 第二存储器300~30N的编程状态。 如图1所示,控制器200禪接第二存储器300~30N,用W纪录数据的编程状态。详细 而言,数据是储存于第一存储器100~10N,并且被编程到第二存储器300~30N。要注意的 是,当至少一第一存储器100~10N或至少一第二存储器300~30N将要被使用时,才会探询 编程状态W检查编程是否成功。换言之,并非在数据编程到存储器装置的时候就立即检查 编程结果。在即将使用或存取第一存储器100~10N或第二存储器300~30N之前才检查编程 的结果。因此,能够防止一旦编程数据就立即检查编程结果所导致的冗长检查时间,因而得 到较佳的效能。此外,该至少一第一存储器100~10N储存数据直到检查编程结果为成功。因 此,当编程失败时,储存于第一存储器100~10N的数据能够成为复原或支援编程的来源。举 例而言,储存于第一存储器100~10N的数据能够再次被编程到第二存储器300~30N。 在一实施例中,控制器200所记录的编程状态包括关于数据的信息、关于第一存储 器100~10N及数据被编程自存储区域的信息、关于第二存储器300~30N及数据被编程至存 储区域的信息。再者,编程状态更包括数据编程目的地的至少一第二存储器300~30N的区 块的信息。再者,当使用至少一第一存储器100~10N或至少一第二存储器300~30N时、或探 询编程状态时,编程状态会被更新。一旦数据从第一存储器100~10N被编程到第二存储器 300~30N,控制器200就会记录编程状态。但是,直到使用至少一第一存储器100~10N或至 少一第二存储器300~30N时,控制器200才会W编程状态检查编程的结果。因为在此阶段, 控制器200纪录关于编程的基本信息而没有进行检查或检测,纪录编程状态只需要很短的 时间,可避免存储器系统10被牺牲其效能。 图2A与2B是显示根据本专利技术一实施例所述的存储器系统10的编程的示意图。一方 面,如图2A所示,数据DataW与MetaW储存于第一存储器100的存储区域100A与100B,数据 DataX与Me化X储存于第一存储器101的存储区域101A与101B,数据化化Y与MetaY储存于第 一存储器102的存储区域102A与102B,数据化taZ与Me化Z储存于第一存储器103的存储区域 103A与103B。另一方面,第一存储器1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有一编程状态的存储器系统,包括:至少一第一存储器,其中该至少一第一存储器的每一者具有多个存储区域以储存数据;至少一第二存储器,其中该至少一第二存储器的每一者具有多个存储区域,用以编程来自该至少一第一存储器的该数据;以及一控制器,耦接该第二存储器,用以纪录该数据的一编程状态,其中当该至少一第一存储器或该至少一第二存储器即将被使用时,借由探询该编程状态检查该编程是否成功,并且该至少一第一存储器储存该数据直到该编程被检查为成功。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:邱慎廷
申请(专利权)人:慧荣科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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