一种低功耗非易失性电子可编程存储器制造技术

本发明专利技术提供一种低功耗非易失性电子可编程存储器，该存储器通过将多阶电荷泵MLCP将电荷泵分解为多个级联的电荷泵组，通过时钟分频控制电路CKGEN采用分时的方式将充电周期性信号划分为多阶依次对对应的电荷泵组充电，当使得整个多阶电荷泵MLCP的输出电压VPP达到阈值就开始对存储阵列ARRAY进行控制，让存储阵列ARRAY完成输入数据的存储和更新，从而降低了平均写入功耗，并实现了对峰值功耗的抑制。

Low power non-volatile electronic programmable memory

The invention provides a low power non-volatile electronic programmable memory, the memory through the multi order charge pump MLCP will charge pump into the charge pump group of a plurality of cascade, by the clock frequency control circuit of CKGEN by the way of charging periodic signal into a plurality of charge pump groups corresponding to order in turn when charging, the output voltage of the VPP multi order charge pump MLCP reached the threshold began to control the ARRAY memory array, let the memory array ARRAY to complete the input data is stored and updated, thereby reducing the average power consumption and realize the writing, inhibition of peak power consumption.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种低功耗非易失性电子可编程存储器。
技术介绍
大规模集成电路的数据存储从时效上分为易失性存储器和非易失性存储器，其区别在于易失性存储器仅能存储当前内容和状态直到系统下电，之后所有的内容将会被清空。易失性存储器一般用作系统的动态运算数据存储。非易失性存储器又可以细分为两种，一次性编程只读存储ROM和可编程更改存储PROM。ROM一般在大规模集成电路制造过程中借助掩模进行实现。编程更改存储通常需要借助一些额外的技术手段，如高能紫外线等，因此有诸多不便。在非易失性电子可编程存储器EEPROM中，数据的更新和删除不需要使用额外的步骤和装置，仅需要在片上产生一个约15V的高压装置，在片上即可实现，因此与普通的CMOS工艺具有很高的集成度。同时与Flash型快闪存储电路相比，其单个单元读写次数超过十万次，数据保持时间可达到十年以上，因此可以用于保存有较高安全需求的重要数据。非易失性电子可编程存储器的存储机制借助于一种特殊类型的CMOS器件，即浮栅进行实现。对浮栅中所捕获的电子数量进行更改即可表征不同的状态。不同于多阶Flash单元，非易失性电子可编程存储器EEPROM一般只利用全无和全充满两个状态作为二元逻辑的表征，以获得高度的稳定性和单元读写寿命。具体的映射并无标准，可以由设计者自由定义。对浮栅状态进行更改需要较高的能量，产生一个强电场，使浮栅中的电子通过遂穿效应进入或者离开浮栅。其中电子的写入利用了沟道热电子效应CHE，而电子的擦除的机理稍有不同，则是利用了Fowler-Nordheim遂穿效应，但两者都需要高强度的电场以提供能量。因此，对浮栅的操作是非易失性电子可编程存储器EEPROM的核心，相关问题即如何仅利用片上CMOS电路产生符合电场强度要求的高电压，在保证功能性的同时也能与传统CMOS制造工艺兼容。电场的场强E制约因素在于浮栅面积S、浮栅和衬底之间的厚度H，以及电压强度VPP。前者由大规模集成电路的制造工艺决定，后者则是电路设计者要认真设计的参数。由于大规模集成电路的外部供电电压往往受限，通常只有3.3V或者5V；有些非易失性电子可编程存储器的应用场景如射频身份识别RFID内置了能量获取电路，从电磁波中获取能量，此时恢复出的电源供电电压更低，只有1.8V左右；而高压VPP往往需要在15V以上保持稳定在毫秒级，因此需要片上逆变压电路对电源电压进行转换。考虑到转换效率和结构简单性，一般使用电荷泵CP实现。通过选择性改变电荷泵储能单元的充放电路径，可以将电位进行反复叠加。如此周期性地输入能量，即可将电位拉升至所需要的水平。电荷泵CP的基本结构为Dickson结构，本质上为储能电容加上开关电路。在CMOS工艺实现中，开关电路使用MOSFET器件构成类二极管Diode的结构以对电路中的开关节点进行控制。电荷泵CP由多个Dickson结构以级联Cascade的方式构成。为了提高效率，两路反相的周期性信号CCLK和CCLKB分别连接到奇级与偶级的Dickson结构。高压信号VPP上升到15V左右的时间取决于电容充放电的速度和开关信号的频率f；整个电荷泵的效率主要与Dickson的阶数N有关。此种充放电开关信号直连结构带来的主要问题在于电荷泵CP的平均功耗较高，且瞬时功耗有尖峰脉冲，对前级的能量获取电路有较大影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种低功耗非易失性电子可编程存储器，该存储器降低了其平均功耗。为了达到上述技术效果，本专利技术的技术方案如下：一种低功耗非易失性电子可编程存储器，包括控制单元CTRL、多阶电荷泵MLCP、存储阵列ARRAY和时钟分频控制电路CKGEN；所述多阶电荷泵MLCP、存储阵列ARRAY和时钟分频控制电路CKGEN均与控制单元CTRL连接；所述时钟分频控制电路CKGEN还与存储器外部的周期性充电信号发生单元连接，并且还和多阶电荷泵MLCP连接，多阶电荷泵MLCP还与存储阵列ARRAY连接，所述控制单元CTRL还与存储器外部数字电路连接，存储阵列ARRAY包括IO口并且连接有译码器DEC，要写入存储器的数据从IO中输入到存储阵列ARRAY中，该写入的数据在存储阵列ARRAY的地址输入到译码器单元DEC中；所述多阶电荷泵MLCP包含若干个级联的电荷泵组Group1～GroupN，每一电荷泵组均与时钟分频控制电路CKGEN连接。本专利技术通过控制单元CTRL接收外部发送的指令，同时要写入存储器的数据从存储阵列ARRAY的O口输入，过期输入数据在存储阵列ARRAY的地址输入到译码器单元DEC中，之后控制单元CTRL控制多阶电荷泵MLCP和时钟分频控制电路CKGEN来使存储阵列ARRAY完成数据存储和更新；本专利技术中多阶电荷泵MLCP将电荷泵分为多级，利用分时将充电周期性信号划分为多阶依次开启并采用不同的开关频率，从而降低了平均写入功耗，并实现了对峰值功耗的抑制。进一步地，存储器外部的周期性充电信号发生单元向时钟分频控制电路CKGEN发送周期性充电信号CCLK，该周期性充电信号CCLK被时钟分频控制电路CKGEN整理衍生出若干个阶段的信号CCLK1～CCLKN；阶段的信号CCLK1～CCLKN依次输入到电荷泵组Group1～GroupN中；进一步地，时钟分频控制电路CKGEN还产生阶段信号CCLK1～CCLKN的反相信号CCLKB1～CCLKBN，阶段的信号CCLK1～CCLKN的反相信号CCLKB1～CCLKBN依次输入到电荷泵组Group1～GroupN中。进一步地，所述电荷泵组包括若干Dickson结构，每一电荷泵组仅输入一对CCLKi和CCLKBi，由此对CCLKi和CCLKBi对该电荷泵组进行充电。进一步地，控制单元CTRL接收存储器外部数字电路发出的指令，该指令发送到时钟分频控制电路CKGEN中产生控制时序，其对应的控制时段为T1～TN，在控制时段T1内，阶段信号CCLK1和其反相信号CCLB1对电荷泵组Group1进行充电，在时序控制段T1结束时，电荷泵组Group1与电荷泵组Group2的交叉点X1被充电到电压值V1；在第二个时序控制段T2，阶段信号CCLK1和CCLKB1仍然为有效状态以维持交叉点X1上的电势，阶段信号CCLK2和CCLKB2开始对电荷泵组Group2进行充电，在时序控制段T2结束时，电荷泵组Group2与Group3的交叉点X2被充电到电压值V2；余下的控制时段T3～TN依次类推，直到整个多阶电荷泵MLCP的输出电压VPP达到阈值就开始对存储阵列ARRAY进行控制，其中VPP＝V1+V2+···+VN-1。进一步地，在多阶电荷泵MLCP的输出电压VPP达到阈值时，存储阵列ARRAY首先将内部的数据从普通电压域转换到高压域，其次通过控制内部单元的位线、字线和浮栅控制线对目标单元进行数据写入或擦除，完成之后，电压VPP撤除。与现有技术相比，本专利技术技术方案的有益效果是：本专利技术通过将多阶电荷泵MLCP将电荷泵分解为多个级联的电荷泵组，通过时钟分频控制电路CKGEN采用分时的方式将充电周期性信号划分为多阶依次对对应的电荷泵组充电，当使得整个多阶电荷泵MLCP的输出电压VPP达到阈值就开始对存储阵列ARRAY进行控制，让存储阵列ARR本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗非易失性电子可编程存储器，其特征在于，包括控制单元CTRL、多阶电荷泵MLCP、存储阵列ARRAY和时钟分频控制电路CKGEN；所述多阶电荷泵MLCP、存储阵列ARRAY和时钟分频控制电路CKGEN均与控制单元CTRL连接；所述时钟分频控制电路CKGEN还与存储器外部的周期性充电信号发生单元连接，并且还和多阶电荷泵MLCP连接，多阶电荷泵MLCP还与存储阵列ARRAY连接，所述控制单元CTRL还与存储器外部数字电路连接，存储阵列ARRAY包括IO口并且连接有译码器DEC，要写入存储器的数据从IO中输入到存储阵列ARRAY中，该写入的数据在存储阵列ARRAY的地址输入到译码器单元DEC中；所述多阶电荷泵MLCP包含若干个级联的电荷泵组Group1～GroupN，每一电荷泵组均与时钟分频控制电路CKGEN连接。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗非易失性电子可编程存储器，其特征在于，包括控制单元CTRL、多阶电荷泵MLCP、存储阵列ARRAY和时钟分频控制电路CKGEN；所述多阶电荷泵MLCP、存储阵列ARRAY和时钟分频控制电路CKGEN均与控制单元CTRL连接；所述时钟分频控制电路CKGEN还与存储器外部的周期性充电信号发生单元连接，并且还和多阶电荷泵MLCP连接，多阶电荷泵MLCP还与存储阵列ARRAY连接，所述控制单元CTRL还与存储器外部数字电路连接，存储阵列ARRAY包括IO口并且连接有译码器DEC，要写入存储器的数据从IO中输入到存储阵列ARRAY中，该写入的数据在存储阵列ARRAY的地址输入到译码器单元DEC中；所述多阶电荷泵MLCP包含若干个级联的电荷泵组Group1～GroupN，每一电荷泵组均与时钟分频控制电路CKGEN连接。2.根据权利要求1所述的低功耗非易失性电子可编程存储器，其特征在于，存储器外部的周期性充电信号发生单元向时钟分频控制电路CKGEN发送周期性充电信号CCLK，该周期性充电信号CCLK被时钟分频控制电路CKGEN整理衍生出若干个阶段的信号CCLK1～CCLKN；阶段的信号CCLK1～CCLKN依次输入到电荷泵组Group1～GroupN中；时钟分频控制电路CKGEN还产生阶段信号CCLK1～CCLKN的反相信号CCLKB1～CCLKBN，阶段的信号CCLK1～CCLKN的反相信号CCLKB1～CCLKBN依次输入到电荷泵组Group1～GroupN中。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：路崇，谭洪舟，吴华灵，区俊辉，李浪兴，陈凡，
申请(专利权)人：广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院，中山大学花都产业科技研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44