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一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；其中，该栅极氧化层包括一第一部份位于该通道...
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