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非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法技术
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文档序号:9175440
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本发明揭示一种非易失性存储器单元,其包含第一及第二电极。可编程材料及选择装置以串联方式被接纳于所述第一及第二电极之间且与所述第一及第二电极串联。电流传导材料以串联方式位于所述可编程材料与所述选择装置之间且与所述可编程材料及所述选择装置串联。...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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