System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储器阵列中的升压辅助存储器单元选择制造技术_技高网

存储器阵列中的升压辅助存储器单元选择制造技术

技术编号:41392914 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-20 19:15
与选择存储器装置的存储器阵列中的存储器单元相关的系统、方法及设备。在一种方法中,偏置电路系统在用于选择存储器单元的存取线上产生电压以用于编程。在编程期间,控制器通过控制开关将升压电容器连接到所述存取线。连接所述升压电容器使所述存取线的放电速率(例如,字线到负电压的放电)增加。在编程之后,所述控制器将所述升压电容器与所述存取线断开连接,且所述升压电容器被预充电以准备下一编程操作(例如,在同一或不同存储器单元上)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本文公开的至少一些实施例大体上涉及存储器装置,且更特定来说(但不限于),在存储器阵列中使用存储器单元的升压辅助选择的存储器装置。


技术介绍

1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如,二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者,通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中,单个存储器单元可支持两个以上状态,可存储其中的任一者。为了存取存储信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息,组件可在存储器装置中写入或编程状态。

2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。即使不存在外部电源,非易失性存储器装置(例如,feram)也可长时间维持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置(例如,dram)在与外部电源断开时可能丢失其存储状态。

3、存储器装置包含非易失性存储器装置,例如(举例来说)nand快闪存储器装置。nand快闪是使用nand逻辑门构造的一种类型的快闪存储器。替代地,nor快闪是使用nor逻辑门构造的一种类型的快闪存储器。目前,nand快闪存储器的使用主导快闪存储器市场。

4、典型存储装置具有控制器,其从主机计算机接收数据存取请求且执行经编程计算任务以按特定于存储装置中配置的媒体及结构的方式来实施请求。在一个实例中,快闪存储器控制器管理存储在快闪存储器中的数据且与主机计算装置通信。在一些情况下,快闪存储器控制器用于固态驱动器(例如,用于移动装置)。

5、固件可用于操作特定存储装置的快闪存储器控制器。在一个实例中,当主机计算机从快闪存储器装置读取数据或将数据写入到快闪存储器装置时,其与快闪存储器控制器通信。


技术实现思路

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中:

3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括控制器,其中所述控制器经配置以:

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述放电电路系统包括电流镜。

5.根据权利要求3所述的设备,其中所述放电电路系统经配置以使用固定电流对所述存取线进行放电。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述存储器阵列经配置成交叉点架构,且所述存取线是字线或位线;且

7.一种设备,其包括:

8.根据权利要求7所述的设备,其进一步包括:

9.根据权利要求8所述的设备,其中所述开关的第二电流端子电连接到所述偏置电路系统;且

10.一种方法,其包括:

11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括:

12.根据权利要求10所述的方法,其中:

13.根据权利要求10所述的方法,其中所述偏置电路系统在第一时间开始在所述存取线上产生所述电压,且在比所述第一时间晚某一时间段的第二时间开始升高所述存取线上的所述电压,所述方法进一步包括:

14.根据权利要求13所述的方法,其中当升高所述存取线上的所述电压时,所述存取线上的所述电压在少于5纳秒的时间段内降低至少300毫伏;且

15.一种存储指令的非暂时性计算机可读媒体,所述指令在由控制器执行时使所述控制器执行根据权利要求10所述的方法;

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种设备,其包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中:

3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括控制器,其中所述控制器经配置以:

4.根据权利要求3所述的设备,其中所述放电电路系统包括电流镜。

5.根据权利要求3所述的设备,其中所述放电电路系统经配置以使用固定电流对所述存取线进行放电。

6.根据权利要求1所述的设备,其中所述存储器阵列经配置成交叉点架构,且所述存取线是字线或位线;且

7.一种设备,其包括:

8.根据权利要求7所述的设备,其进一步包括:

9.根据权利要求8所述的设备,其中所述开关的第二电流端子电连接到所述偏置电路系...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔铭栋王虹美H·吉杜图里
申请(专利权)人:美光科技公司
类型:发明
国别省市:

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