【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种执行数据读取操作的半导体装置和控制其的控制器。
技术介绍
1、半导体存储器装置可形成为串水平于半导体基板布置的二维结构，或者可形成为串垂直于半导体基板布置的三维结构。三维存储器装置是为克服二维半导体存储器装置中发现的集成度极限而设计的存储器装置，并且可包括垂直层叠在半导体基板上方的多个存储器单元。此外，控制器可控制半导体存储器装置的操作。
2、在半导体存储器装置的读取操作中，读取电压被施加到所选字线，并且通过电压被施加到未选字线。此外，连接到各条位线的页缓冲器可感测对应存储器单元的阈值电压，从而将表示感测结果的比特数据存储在锁存器中。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：对所选存储器单元执行预感测操作；以及对所选存储器单元执行主感测操作，其中，主感测操作的执行包括基于预感测操作的结果选择性地对分别与所选存储器单元对应的多个页缓冲器的第一感测节点进行预充电。
2、根据本公开的另一方面，提供了一种操作控制器的方法，该方法包括以下步骤：向半导体装置发送正常读取命令；从半导体装置接收与正常读取命令对应的第一读取数据；对第一读取数据执行纠错操作；以及响应于确定纠错操作失败，向半导体装置发送准确读取命令。
3、根据本公开的另一方面，提供了一种操作控制器的方法，该方法包括以下步骤：确定要读取半导体装置的数据；确定要读取的数据是否为多种类型当中的第一类型的数据；以及
4、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其包括多个页缓冲器，各个页缓冲器执行用于读取存储在多个存储器单元当中的所选存储器单元中的数据的预感测操作和主感测操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路的预感测操作和主感测操作，其中，在主感测操作期间，控制逻辑控制外围电路基于预感测操作的结果选择性地对分别与所选存储器单元对应的多个页缓冲器的第一节点进行预充电。
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1.一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述所选存储器单元的所述预感测操作是使用辅助读取电压来执行的，并且
3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述预感测操作的步骤包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行所述主感测操作的步骤包括以下步骤：
5.一种操作控制器的方法，该方法包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述正常读取命令控制所述半导体装置基于主读取电压执行读取操作，并且
7.根据权利要求6所述的方法，其中，响应于所述准确读取命令，所述半导体装置基于所述辅助读取电压执行预感测操作，然后基于所述主读取电压执行主感测操作。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述预感测操作期间，所述半导体装置确定所选存储器单元当中的哪些存储器单元具有低于所述辅助读取电压的阈值电压，并且
9.根据权利要求5所述的方法，该方法还包括以下步骤：从所述半导体装置接收与所述准确读取命令对应的第二读取数据。
10.一种
11.根据权利要求10所述的方法，其中，响应于所述准确读取命令，所述半导体装置基于辅助读取电压执行预感测操作，然后基于高于所述辅助读取电压的主读取电压执行主感测操作。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述预感测操作期间，所述半导体装置确定所选存储器单元当中的哪些存储器单元具有低于所述辅助读取电压的阈值电压，并且
13.一种半导体装置，该半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路在所述预感测操作期间将辅助读取电压施加到与所述所选存储器单元连接的所选字线，并且在所述主感测操作期间将高于所述辅助读取电压的主读取电压施加到所述所选字线。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述多个页缓冲器中的每一个包括锁存电路，并且
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，在所述主感测操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路不对与所述所选存储器单元当中的阈值电压低于所述辅助读取电压的存储器单元对应的页缓冲器的第一节点进行预充电。
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，各个所述页缓冲器还包括：
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管是NMOS晶体管，并且
19.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，在所述主感测操作中，与作为所述预感测操作的结果被确定为具有低于所述辅助读取电压的阈值电压的存储器单元连接的页缓冲器的所述第五晶体管截止。
20.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，在所述主感测操作中，与作为所述预感测操作的结果被确定为具有高于所述辅助读取电压的阈值电压的存储器单元连接的页缓冲器的所述第五晶体管导通。
...【技术特征摘要】
1.一种操作半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述所选存储器单元的所述预感测操作是使用辅助读取电压来执行的，并且
3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行所述预感测操作的步骤包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行所述主感测操作的步骤包括以下步骤：
5.一种操作控制器的方法，该方法包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述正常读取命令控制所述半导体装置基于主读取电压执行读取操作，并且
7.根据权利要求6所述的方法，其中，响应于所述准确读取命令，所述半导体装置基于所述辅助读取电压执行预感测操作，然后基于所述主读取电压执行主感测操作。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述预感测操作期间，所述半导体装置确定所选存储器单元当中的哪些存储器单元具有低于所述辅助读取电压的阈值电压，并且
9.根据权利要求5所述的方法，该方法还包括以下步骤：从所述半导体装置接收与所述准确读取命令对应的第二读取数据。
10.一种操作控制器的方法，该方法包括以下步骤：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，响应于所述准确读取命令，所述半导体装置基于辅助读取电压执行预感测操作，然后基于高于所述辅助读取电压的主读取电压执行主感测操作。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述预感测操作期间，所述半导体装...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔亨进，咸政勋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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