【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电子设备，更具体地，涉及执行错误检查和清理(error check andscrub，ecs)操作的存储器件、存储器件的操作方法、存储系统、电子设备、以及电子系统。
技术介绍
1、半导体存储器被广泛用于将数据存储在诸如计算机、无线通信设备、相机、数字显示器等的各种电子设备中。通过半导体存储器的编程状态来存储数据。为了访问所存储的数据，可以读取或检测半导体存储器的至少一种存储状态。为了存储数据，设备的部件可以写入或编程半导体存储器的状态。
2、存在各种类型的半导体存储器。诸如动态随机存取存储器(dram)的易失性存储器会在与外部电源断开连接时丢失所存储的数据。此外，半导体存储器的状态随时间而劣化，这可能导致不可恢复的存储器错误或其他问题。
技术实现思路
1、一个或更多个实施例提供了根据每个客户的要求来设置错误检查和清理(ecs)设定值的存储器件、存储器件的操作方法、存储系统、电子设备、以及电子系统。
2、根据实施例的一个方面，一种存储器件包括：存储单元阵列，...
【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述ECS设定数据包括：表示在所述刷新操作中执行ECS操作的ECS时段的时段值、以及与所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值。
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，当包括在第一ECS设定数据中的第一时段值小于包括在第二ECS设定数据中的第二时段值时，包括在所述第一ECS设定数据中的第一电流值大于包括在所述第二ECS设定数据中的第二电流值，并且
4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述ECS设定数据还包括：表示在动态电压频率调节中供应给所述存储器件的电源电压的
...【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述ecs设定数据包括：表示在所述刷新操作中执行ecs操作的ecs时段的时段值、以及与所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值。
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，当包括在第一ecs设定数据中的第一时段值小于包括在第二ecs设定数据中的第二时段值时，包括在所述第一ecs设定数据中的第一电流值大于包括在所述第二ecs设定数据中的第二电流值，并且
4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述ecs设定数据还包括：表示在动态电压频率调节中供应给所述存储器件的电源电压的电平的数据。
5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述控制逻辑电路还被配置为：响应于从所述存储控制器接收的寄存器读取命令，向所述存储控制器提供所述ecs设定数据和所述错误计数数据。
7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述控制逻辑电路还被配置为：
8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述新的ecs设定数据包括：表示在所述刷新操作中执行ecs操作的ecs时段的时段值、以及与所述刷新操作中使用的刷新电流相关的电流值，并且
9.一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：
10.根据权利要求9所述的操作方法，其中，所述ecs设定数据包括：表示在所述刷新操作中执行所述ecs...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄晙夏，李泳斌，金刚逸，宋新美，吴起硕，黄斗熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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