一种自适应负位线写辅助电路制造技术

本发明专利技术公开一种自适应负位线写辅助电路，涉及存储器技术领域，该电路包括：负位线电路和参考单元；所述负位线电路用于拉低SRAM阵列中位线或者反位线的电压；所述参考单元接入所述SRAM阵列的一端，所述参考单元的位线与所述SRAM阵列的位线连接，所述参考单元的反位线与所述SRAM阵列的反位线连接；当所述参考单元和所述SRAM阵列进行写操作时，所述参考单元的字线电压低于所述SRAM阵列中进行写操作的SRAM单元的字线电压。本发明专利技术提高了存储器的工作频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器，特别是涉及一种自适应负位线写辅助电路。

技术介绍

1、负位线电路作为最常用的存储器写辅助电路，具有电路结构相对简单和实际效果好的优点。然而由于信息产业对芯片能效的要求，芯片往往需要在不同的电压、温度等条件下进行工作。固定的辅助电路结构为了保证电路能在所有情况都能正常工作，往往会留有过多的设计余量。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种自适应负位线写辅助电路，提高了存储器的工作频率。

2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：

3、一种自适应负位线写辅助电路，包括：负位线电路和参考单元；所述负位线电路用于拉低sram阵列中位线或者反位线的电压；所述参考单元接入所述sram阵列的一端，所述参考单元的位线与所述sram阵列的位线连接，所述参考单元的反位线与所述sram阵列的反位线连接；当所述参考单元和所述sram阵列进行写操作时，所述参考单元的字线电压低于所述sram阵列中进行写操作的sram单元的字线电压。

4、可选地，所述负位线电路包括第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种自适应负位线写辅助电路，其特征在于，包括：负位线电路和参考单元；所述负位线电路用于拉低SRAM阵列中位线或者反位线的电压；所述参考单元接入所述SRAM阵列的一端，所述参考单元的位线与所述SRAM阵列的位线连接，所述参考单元的反位线与所述SRAM阵列的反位线连接；当所述参考单元和所述SRAM阵列进行写操作时，所述参考单元的字线电压低于所述SRAM阵列中进行写操作的SRAM单元的字线电压。

2.根据权利要求1所述的自适应负位线写辅助电路，其特征在于，所述负位线电路包括第一电容、第二电容、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一与非门、第二与非门和第一MOS管；所述第一电容...

【技术特征摘要】

1.一种自适应负位线写辅助电路，其特征在于，包括：负位线电路和参考单元；所述负位线电路用于拉低sram阵列中位线或者反位线的电压；所述参考单元接入所述sram阵列的一端，所述参考单元的位线与所述sram阵列的位线连接，所述参考单元的反位线与所述sram阵列的反位线连接；当所述参考单元和所述sram阵列进行写操作时，所述参考单元的字线电压低于所述sram阵列中进行写操作的sram单元的字线电压。

2.根据权利要求1所述的自适应负位线写辅助电路，其特征在于，所述负位线电路包括第一电容、第二电容、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一与非门、第二与非门和第一mos管；所述第一电容的一端和所述第二电容的一端相连处记为控制端，所述控制端与所述第一mos管的源极连接，所述第一电容的另一端与所述第一反相器的输出端连接，所述第一反相器的输入端与所述第一与非门的输出端连接，所述第一与非门的第一输入端用于输入写使能信号，所述第一与非门的第二输入端用于输入第一控制信号，所述第二电容的另一端与所述第二反相器的输出端连接，所述第二反相器的输入端与所述第二与非门的输出端连接，所述第二与非门的第一输入端用于输入写使能信号，所述第一与非门的第二输入端用于输入第二控制信号，所述第三反相器的输入端用于输入写使能信号，所述第三反相器的输出端与所述第一mos管的栅极连接，所述第一mos管的漏极接地。

3.根据权利要求2所述的自适应负位线写辅助电路，其特征在于，还包括第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器和第八反相器，所述第四反相器的输入端用于输入数据，所述第四反相器的输出端分别与所述第五反相器的输入端和第七...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞亮，游恒，尚德龙，周玉梅，
申请(专利权)人：中科南京智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：