【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及半导体装置及形成半导体装置的方法。例如，本公开涉及晶片接合的铁磁控制。
技术介绍
1、半导体封装包含含有一或多个半导体装置(例如集成电路)的壳体。半导体装置组件可在被切割成裸片且接着被封装之前制造在半导体晶片上。半导体封装保护内部组件免受损坏且包含用于例如经由球、引脚或引线将内部组件连接到外部组件(例如，电路板)的构件。半导体封装有时被称为半导体装置组合件。
技术实现思路
1、本申请的一方面涉及一种方法，其包括：将第一半导体装置定位在接合装置的第一卡盘上，其中所述第一半导体装置包含铁磁材料层；将第二半导体装置定位在所述接合装置的第二卡盘上；及控制与所述第一半导体装置的所述铁磁材料层相互作用的一或多个磁场，以引起所述第一半导体装置及所述第二半导体装置的接合。
2、本申请的另一方面涉及一种方法，其包括：将第一半导体装置定位在接合装置的第一卡盘上，其中所述第一半导体装置包含铁磁材料层；将第二半导体装置定位在所述接合装置的第二卡盘上，其中多个电磁体与所述第一卡盘或所述第二卡盘中的至少一者结合；及控制所述多个电磁体的激活状态以吸引或排斥所述铁磁材料层以引起所述第一半导体装置及所述第二半导体装置的接合。
3、本申请的另一方面涉及一种半导体装置组合件，其包括：半导体裸片的第一有源装置层；所述半导体裸片的第二有源装置层；及铁磁材料层，其安置在所述第一有源装置层与所述第二有源装置层之间。
4、本申请的另一方面涉及一种半导体装置组合件，其包括：第一半
5、本申请的另一方面涉及一种接合装置，其包括：第一卡盘，其用以将第一半导体装置保持在所述第一卡盘的第一表面处；第二卡盘，其用以将第二半导体装置保持在所述第二卡盘的第二表面处，其中所述第一卡盘的所述第一表面面向所述第二卡盘的所述第二表面；及多个电磁体，其与所述第一卡盘或所述第二卡盘中的至少一者结合。
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1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一卡盘或所述第二卡盘中的至少一者包含多个电磁体，且
3.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述一或多个磁场是为了引起所述第一半导体装置的挠曲，从而导致所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间的接触。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体装置包含第一半导体晶片，其中所述铁磁材料层安置在所述第一半导体晶片上，且所述第二半导体装置包含第二半导体晶片。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一半导体装置进一步包含安置在所述第一半导体晶片上的介电层，且
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述铁磁材料层包含铁磁材料的多个离散区。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.一种方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中控制所述多个电磁体的所述激活状态包括：
11.根据权利要求9所述的方法，其中控制所述多个电磁体的所述激活状态是为了引起
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一半导体装置包含第一半导体晶片，其中所述铁磁材料层安置所述在第一半导体晶片上，且所述第二半导体装置包含第二半导体晶片。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一半导体装置进一步包含安置在所述第一半导体晶片上的介电层，且
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述铁磁材料层包含铁磁材料的多个离散区。
15.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
16.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
17.一种半导体装置组合件，其包括：
18.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其中所述铁磁材料层包含铁磁材料的多个离散区。
19.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其进一步包括：
20.根据权利要求19所述的半导体装置组合件，其中所述铁磁材料层嵌入在所述介电层中。
21.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其中所述第一有源装置层及所述第二有源装置层电互连。
22.根据权利要求17所述的半导体装置组合件，其中所述半导体装置组合件是存储器装置。
23.一种半导体装置组合件，其包括：
24.根据权利要求23所述的半导体装置组合件，其中所述铁磁材料层包含铁磁材料的多个离散区。
25.根据权利要求23所述的半导体装置组合件，其进一步包括：
26.根据权利要求25所述的半导体装置组合件，其中所述铁磁材料层嵌入在所述介电层中。
27.根据权利要求23所述的半导体装置组合件，其中所述半导体装置组合件是存储器装置。
28.一种接合装置，其包括：
29.根据权利要求28所述的接合装置，其中所述多个电磁体包含与所述第一卡盘结合的第一多个电磁体，及与所述第二卡盘结合的第二多个电磁体。
30.根据权利要求29所述的接合装置，其中所述第一多个电磁体布置成网格且所述第二多个电磁体布置成网格。
31.根据权利要求28所述的接合装置，其中所述多个电磁体经配置为能够个别寻址。
32.根据权利要求28所述的接合装置，其中所述多个电磁体经配置以产生强度足以排斥或吸引所述第一半导体装置的铁磁材料层的一或多个磁场。
33.根据权利要求28所述的接合装置，其进一步包括：
34.根据权利要求33所述的接合装置，其中所述第二卡盘包含与所述真空管线流体连通的多个开口。
...【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一卡盘或所述第二卡盘中的至少一者包含多个电磁体，且
3.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述一或多个磁场是为了引起所述第一半导体装置的挠曲，从而导致所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间的接触。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体装置包含第一半导体晶片，其中所述铁磁材料层安置在所述第一半导体晶片上，且所述第二半导体装置包含第二半导体晶片。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一半导体装置进一步包含安置在所述第一半导体晶片上的介电层，且
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述铁磁材料层包含铁磁材料的多个离散区。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
9.一种方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中控制所述多个电磁体的所述激活状态包括：
11.根据权利要求9所述的方法，其中控制所述多个电磁体的所述激活状态是为了引起所述第一半导体装置的挠曲，从而导致所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间的接触。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一半导体装置包含第一半导体晶片，其中所述铁磁材料层安置所述在第一半导体晶片上，且所述第二半导体装置包含第二半导体晶片。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一半导体装置进一步包含安置在所述第一半导体晶片上的介电层，且
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述铁磁材料层包含铁磁材料的多个离散区。
15.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
16.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
17.一种半导体装置组合件，其包...
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