【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置和显示装置。另外，本专利技术还涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、近年来，作为薄膜晶体管(thin film transistor：以下称为“tft”)的活性层的材料，提出了使用氧化物半导体来代替非晶硅或多晶硅。将具有氧化物半导体膜作为活性层的tft称为“氧化物半导体tft”。在专利文献1中公开了将in-ga-zn-o系的半导体膜用于tft的活性层的有源矩阵基板。
2、氧化物半导体具有比非晶硅更高的迁移率。因此，氧化物半导体tft能以比非晶硅tft高速地进行动作。此外，氧化物半导体膜能够以比多晶硅膜更简便的工艺形成，因此也可以适用于需要大面积的装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2012-134475号公报
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题
2、目前，作为tft的活性层材料被实用化的氧化物半导体大多为n型(n沟道型)，最近，开始提出p型(p沟道型)的氧化物半导体。在氧化物半导体中，还已知具有宽带隙且透明的氧化物半导体。此外，还提出了一种具有高迁移率的p型的透明半导体，不是氧化物的半导体。以下，将具有透明半导体膜作为活性层的tft称为“透明半导体tft”。氧化物半导体tft也有时是透明半导体tft。通过将n型的氧化物半导体tft和p型的氧化物半导体tft(或透明半导体tft)构成为互补型，形成cmos(complementary metal-oxide
3、但是，使用n型氧化物半导体tft和p型氧化物半导体tft(或透明半导体tft)的cmos结构的优选构成尚未确立。
4、本专利技术的实施方式涉及鉴于上述问题而完成的，其目的在于，适当地实现使用了n型的氧化物半导体tft和p型的氧化物半导体tft(或者透明半导体tft)的cmos结构。
5、用于解决技术问题的技术方案
6、本说明书在以下的项目中公开了半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法。
7、[项目1]
8、一种半导体装置，其是互补型的半导体装置，并具备：基板；第一导电型的第一薄膜晶体管，其被所述基板支承；以及第二导电型的第二薄膜晶体管，其被所述基板支承，所述第二导电型不同于所述第一导电型，所述第一薄膜晶体管具备：第一半导体层，其由所述第一导电型的氧化物半导体材料形成，并包括：第一沟道区；以及位于所述第一沟道区的两侧的第一源极区和第一漏极区域；第一栅极绝缘层，其设置于所述第一半导体层上；第一栅极，其以隔着所述第一栅极绝缘层与所述第一沟道区域相对的方式设置；第一源极，其与所述第一源极区域电连接，所述第二薄膜晶体管具备：第二半导体层，其由所述第二导电型的氧化物半导体材料或透明半导体材料形成，且包含第二沟道区域和位于所述第二沟道区域的两侧的第二源极区域及第二漏极区域；第二栅极绝缘层，其设置于所述第二半导体层上；第二栅极，其以隔着所述第二栅极绝缘层与所述第二沟道区域相对的方式设置；以及第二源极，其与所述第二源极区域电连接，所述第一栅极绝缘层包括第一层和设置在所述第一层上的第二层，所述第一栅极绝缘层的所述第二层与所述第二栅极绝缘层形成于同一层。
9、[项目2]
10、根据项目1所述的半导体装置，所述第一栅极和所述第二栅极形成于同层，所述第一源极和所述第二源极形成于同层。
11、[项目3]
12、根据项目1或2所述的半导体装置，还具备绝缘层，所述绝缘层与所述第一栅极绝缘层的所述第一层形成于同层，所述第二半导体层设置在所述绝缘层上。
13、[项目4]
14、根据项目1至3中的任一项目所述的半导体装置，所述第一薄膜晶体管具有与所述第一漏极区域电连接的第一漏极，所述第二薄膜晶体管具有与所述第二漏极区域电连接的第二漏极，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极形成于同层。
15、[项目5]
16、根据项目4所述的半导体装置，还具备层间绝缘层，所述层间绝缘层以覆盖所述第一栅极及所述第二栅极的方式设置，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极设置在所述层间绝缘层上。
17、[项目6]
18、根据项目1至5中的任一项目所述的半导体装置，所述第一导电型为n型，所述第二导电型为p型。
19、[项目7]
20、根据项目6所述的半导体装置，所述第一半导体层包含in-ga-zn-o系半导体。
21、[项目8]
22、根据项目1至5中的任一项目所述的半导体装置，所述第一导电型为p型，所述第二导电型为n型。
23、[项目9]
24、根据项目8所述的半导体装置，所述第二半导体层包含in-ga-zn-o系半导体。
25、[项目10]
26、根据项目1至9中的任一项目所述的半导体装置，具备电容元件，其具备：第一电容电极，其从所述第一半导体层延伸设置；第二电容电极，其从所述第二半导体层延伸设置；以及电容绝缘层，其设置于所述第一电容电极与第二电容电极之间，与所述第一栅极绝缘层的所述第一层形成于同层。
27、[项目11]
28、根据项目1至10中的任一项目所述的半导体装置，为显示装置用有源矩阵基板，所述显示装置用有源矩阵基板具有由多个像素区域规定的显示区域和位于所述显示区域的周边的周边区域。
29、[项目12]
30、根据项目11所述的半导体装置，具备栅极驱动器电路，其形成于所述周边区域，所述栅极驱动电路包含所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。
31、[项目13]
32、根据项目11所述的半导体装置，具备多路分配器电路，其形成于所述周边区域，所述多路分配器电路包括所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。
33、[项目14]
34、一种显示装置，具有项目11至13中的任一项目所述的半导体装置作为所述有源矩阵基板。
35、[项目15]
36、根据项目14所述的显示装置，所述显示装置为液晶显示装置。
37、[项目16]
38、根据项目14所述的显示装置，所述显示装置为有机el显示装置。
39、[项目17]
40、一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置是互补型的半导体装置，并具备：基板；第一导电型的第一薄膜晶体管，其被所述基板支承；以及第二导电型的第二薄膜晶体管，其被所述基板支承，所述第二导电型不同于所述第一导电型，所述半导体装置的特征在于，所述第一薄膜晶体管具备：第一半导体层，其由所述第一导电型的氧化物半导体材料形成，并包括：第一沟道区；以及位于所述第一沟道区的两侧的第一源极区和第一漏极区域；第一栅极绝缘层，其设置于所述第一半导体层上；第一栅极，其本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其是互补型的半导体装置，并具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电型为n型，所述第二导电型为p型。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电型为p型，所述第二导电型为n型。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具备电容元件，其具备：
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，为显示装置用有源矩阵基板，所述显示装置用有源矩阵基板具有由多个像素区域规定的显示区域和位于所述显示区域的周边
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
14.一种显示装置，其特征在于，具有权利要求11所述的半导体装置作为所述有源矩阵基板。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为液晶显示装置。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为有机EL显示装置。
17.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置是互补型的半导体装置，并具备：
18.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
19.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
20.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其是互补型的半导体装置，并具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电型为n型，所述第二导电型为p型。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体层包含in-ga-zn-o系半导体。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电型为p型，所述第二导电型为n型。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体层包含in-ga-zn-o系半导体。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具备电容元件，其具备：
11.根据权利要求1所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：菊池哲郞，大东彻，铃木正彦，西宫节治，高畑仁志，
申请(专利权)人：夏普显示科技株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。