【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体技术，具体地讲，涉及一种包括凸块互连结构的半导体封装。
技术介绍
1、随着电子行业快速发展，电子产品的尺寸进一步减小并且已如用户所需变得多功能。电子产品中使用的半导体封装具有更高的性能、更高的集成度、更高的速度和更小的尺寸。嵌入在半导体封装中的半导体芯片或半导体管芯的数量或者半导体装置所需的连接端子或输入/输出(i/o)端子的数量增加。为了在有限的面积内形成更多的连接端子，连接端子或i/o端子的密度增加，并且连接端子之间的隔离间隔或连接端子之间的间距骤然减小。使用导电凸块的凸块互连结构被应用于半导体封装的连接端子。随着凸块之间的隔离间隔或间距减小，凸块和与该凸块相邻的另一凸块之间短路的风险增大。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体封装可包括：第一引线和第二引线，其被设置为在第一基板上彼此间隔开；凸块，其被设置为在第二基板中面向第一引线；以及焊料层，其被配置为连接凸块和第一引线。第一引线可具有朝着第二引线上升的阶梯形状。
2、在实施方式中，一种半导体封装可包括：第一引线和第二引线，其被设置为在第一基板上彼此间隔开；通孔，其分别连接到第一引线和第二引线，并且延伸以穿透第一基板；第一凸块，其被设置为在第二基板中面向第一引线；以及焊料层，其被配置为连接第一凸块和第一引线。第一引线可具有朝着第二引线上升的阶梯形状。
【技术保护点】
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一引线的所述第二部分从所述第一引线的所述第一部分朝着所述第二基板突出。
4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一引线的所述第二部分比所述剩余部分更靠近所述第二引线。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二引线具有朝着所述第一引线上升的阶梯形状。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括封装剂层，该封装剂层在覆盖所述第二基板的同时在所述第二基板和所述第一基板之间延伸，并且该封装剂层围绕所述凸块、所述第一引线和所述焊料层。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一引线包括：
8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第二引线层比除了所述第一引线的第一部分的与第二部分叠置的部分之外的剩余部分更靠近所述第二引线放置。
9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第二引线层包括与所述第一引线层的金属层不同的金属层。
10.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第一引线还包括支撑绝缘层，该支撑绝缘层在支撑所述第二引线层的同时形成在所述第二引线层和所述第一基板之间。
11.一种半导体封装，该半导体封装包括：
12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，
13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述第一引线的所述第二部分从所述第一引线的所述第一部分朝着所述第二基板突出。
14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中，所述第一引线的所述第二部分比所述剩余部分更靠近所述第二引线。
15.根据权利要求11所述的半导体封装，该半导体封装还包括封装剂层，该封装剂层在覆盖所述第二基板的同时在所述第二基板和所述第一基板之间延伸，并且该封装剂层围绕所述第一凸块、所述第一引线和所述焊料层。
16.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述第一引线包括：
17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述第二引线层比除了所述第一引线的第一部分的与第二部分叠置的部分之外的剩余部分更靠近所述第二引线放置。
18.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述第二引线层包括与所述第一引线层的金属层不同的金属层。
19.根据权利要求16所述的半导体封装，其中，所述第一引线还包括支撑绝缘层，该支撑绝缘层在支撑所述第二引线层的同时形成在所述第二引线层和所述第一基板之间。
20.根据权利要求11所述的半导体封装，该半导体封装还包括连接到所述第一通孔的第二凸块，该第二凸块相对于所述第一引线位于所述第一基板的相对侧。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一引线的所述第二部分从所述第一引线的所述第一部分朝着所述第二基板突出。
4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述第一引线的所述第二部分比所述剩余部分更靠近所述第二引线。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二引线具有朝着所述第一引线上升的阶梯形状。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括封装剂层，该封装剂层在覆盖所述第二基板的同时在所述第二基板和所述第一基板之间延伸，并且该封装剂层围绕所述凸块、所述第一引线和所述焊料层。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一引线包括：
8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第二引线层比除了所述第一引线的第一部分的与第二部分叠置的部分之外的剩余部分更靠近所述第二引线放置。
9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第二引线层包括与所述第一引线层的金属层不同的金属层。
10.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述第一引线还包括支撑绝缘层，该支撑绝缘层在支撑所述第二引线层的同时形成在所述第二引线层和所述第一基板之间。
11.一种半导体封装，该半导体封装包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：金康勋，金翅荺，宋俊蓉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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