显示装置制造方法及图纸

在边框区域(F)的周边电路的显示区域侧，沿着各显示用布线(18g)设置有保护元件(Ga)，该保护元件(Ga)具备：第一导电层(12b)，其由由多晶硅构成的第一半导体膜形成；第三半导体层(16b)，其由隔着第五无机绝缘膜(13a)由氧化物半导体构成的第二半导体膜形成在第一导电层(12b)上；第二导电层(20h)和第三导电层(20i)，其由第三金属膜相互分离地形成，并将第一导电层(12b)与第一源极区域(16ba)和第一漏极区域(16bb)电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及显示装置。

技术介绍

1、近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为“el”)元件的自发光型的有机el显示装置受到关注。在该有机el显示装置中，针对作为图像的最小单位的每个子像素设置有薄膜晶体管(thinfilm transistor，以下也称为“tft”)。在此，作为构成tft的半导体层，例如众所周知有由迀移率高的多晶硅构成的半导体层、由漏电流小的in-ga-zn-o等氧化物半导体构成的半导体层等。

2、例如，在专利文献1中，作为使用具备具有氧化物半导体层的tft的tft基板的显示装置，例示了有机el显示装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特许第6311900号公报

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题

2、但是，在具备具有由氧化物半导体构成的半导体层的tft的高精细的显示装置中，由于制造工序中积蓄的静电放电所导致的绝缘膜的破坏、以及来本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的显示装置，其特征在于，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的显示装置，其特征在于，

10.根据权利要求1～9中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种显示装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，

7....

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本忠芳，
申请(专利权)人：夏普显示科技株式会社，
类型：发明
国别省市：