【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种用于处理衬底的装置和方法，并且更具体地，涉及一种用于处理衬底的装置和方法，其可以降低化学溶液中的处理副产物的浓度。
技术介绍
1、随着半导体器件变得更加密集、高度集成并且性能更好，电路图案的小型化正在加速，并且残留在衬底表面上的处理副产物和污染物(诸如颗粒、有机污染物和金属污染物)对器件特性和产量具有显著影响。为此，在半导体制造处理中，去除附着在衬底表面的各种污染物的清洗处理变得非常重要，并且清洗衬底的处理在制造半导体的每个单元处理之前且在其之后执行。
2、诸如蚀刻溶液(蚀刻剂)之类的化学溶液非常昂贵。因此，出于经济原因，在执行蚀刻处理之后，使用化学溶液循环管线将化学溶液收集在一起并使之循环回到化学溶液供应设备。
技术实现思路
1、然而，在这种回收化学溶液的常规方法中，化学溶液被收集和再循环，而不管处理的类型或化学溶液中包含的其它处理副产物的数量。因此，化学溶液中处理副产物的浓度迅速增加，导致蚀刻功能的剩余寿命非常短，并且用于维护和补充新化学溶液以保持蚀刻速率的管
【技术保护点】
1.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理包括第一处理和第二处理，
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述方向控制阀是三通阀，所述三通阀被配置成在所述第一处理中允许连接到化学溶液收集管线的输入侧与所述化学溶液排放管线连通，并且在所述第二处理中允许所述输入侧与所述化学溶液循环管线连通。
4.根据权利要求2所述的装置，还包括：
5.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一处理包括：
6.根据权利要求5所述的装置，其中，在所述初始蚀刻处理中，所述衬底以第一旋转速度旋转第一时
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【技术特征摘要】
1.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理包括第一处理和第二处理，
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述方向控制阀是三通阀，所述三通阀被配置成在所述第一处理中允许连接到化学溶液收集管线的输入侧与所述化学溶液排放管线连通，并且在所述第二处理中允许所述输入侧与所述化学溶液循环管线连通。
4.根据权利要求2所述的装置，还包括：
5.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一处理包括：
6.根据权利要求5所述的装置，其中，在所述初始蚀刻处理中，所述衬底以第一旋转速度旋转第一时间，
7.根据权利要求4所述的装置，其中所述控制器确定所述衬底的旋转速度，并且将化学溶液排放控制信号或化学溶液循环控制信号施加到所述方向控制阀。
8.根据权利要求4所述的装置，其中所述控制器确定当前正在进行哪个处理，并且将所述化学溶液排放控制信号或所述化学溶液循环控制信号施加到所述方向控制阀。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述排放化学溶液选择设备包括：
10.根据权利要求9所述的装置，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：金珉贞，韩真儿，金俙焕，洪榕焄，金京肃，朴钟赫，朴珍炯，郑大赫，车知勋，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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