【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，更具体地，涉及具有金属场板接触件的晶体管和制造方法。
技术介绍
1、横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal-oxidesemiconductor；ldmos)是一种用于放大器的平面双扩散mosfet(金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor))，包括微波功率放大器、rf功率放大器和音频功率放大器。ldmos设备的制造主要涉及各种离子注入和随后的退火循环。例如，使用多达三个的离子注入序列来制造功率mosfet的漂移区，以便实现承受高电场所需的适当掺杂分布。
2、硅基射频ldmos(射频ldmos)是移动网络中广泛使用的射频功率放大器，可实现世界上大多数的蜂窝语音(cellular voice)和数据流量(data traffic)。ldmos设备广泛用于基站的射频功率放大器，因为需要具有相应漏极到源极击穿电压的高输出功率。与gaasfet等其他设备相比，射频ldmos显示出更低的最大功率增益频率。
技术实现思路
1、在本专利技术的一个方面中，一种结构包括：半导体衬底上的栅极结构；所述半导体衬底内的浅沟槽隔离结构；以及从所述栅极结构延伸到所述浅沟槽隔离结构中的接触件。
2、在本专利技术的一个方面中，一种结构包括：半导体衬底；所述半导体衬底内的浅沟槽隔离结构；部分地在所述浅沟槽隔离结构上方延伸的栅极结构；与所述浅
3、在本专利技术的一个方面中，一种方法包括：在半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；以及形成从所述栅极结构延伸到所述浅沟槽隔离结构中的接触件。
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1.一种结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述栅极结构部分地在所述浅沟槽隔离结构上方延伸。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述接触件包括栅极接触件、布线结构和延伸到所述浅沟槽隔离结构中的金属场板。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述金属场板包括电性连接到所述栅极结构并且延伸到所述浅沟槽隔离结构中的单个互连结构。
5.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述金属场板包括电性连接到所述栅极结构并且延伸到所述浅沟槽隔离结构中的多个互连结构。
6.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括通过所述浅沟槽隔离结构与所述栅极结构分离的漏极扩散。
7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述接触件在所述栅极结构的边缘与所述漏极扩散间延伸。
8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述栅极结构包括横向扩散金属氧化物半导体设备。
9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅极介电材料，所述栅极介电材料包括与所述浅沟槽隔离结
10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述栅极介电材料在N阱和所述浅沟槽隔离结构上方延伸。
11.根据权利要求10所述的结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构在所述N阱内。
12.根据权利要求11所述的结构，其特征在于，延伸到所述浅沟槽隔离结构中的所述接触件是通过所述浅沟槽隔离结构的绝缘体材料与所述N阱分离。
13.一种结构，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的结构，其特征在于，所述接触件包括栅极接触件、布线结构和金属场板，所述金属场板延伸到所述浅沟槽隔离结构中。
15.根据权利要求14所述的结构，其特征在于，所述金属场板包括单个互连结构。
16.根据权利要求14所述的结构，其特征在于，所述金属场板包括两个互连结构。
17.根据权利要求13所述的结构，其特征在于，所述栅极结构包括横向扩散金属氧化物半导体设备。
18.根据权利要求13所述的结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅极介电材料，且所述栅极介电材料和所述浅沟槽隔离结构包括相同的绝缘体材料。
19.根据权利要求18所述的结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构在N阱内，且所述栅极介电材料在所述N阱和所述浅沟槽隔离结构上方延伸。
20.一种方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述栅极结构部分地在所述浅沟槽隔离结构上方延伸。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述接触件包括栅极接触件、布线结构和延伸到所述浅沟槽隔离结构中的金属场板。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述金属场板包括电性连接到所述栅极结构并且延伸到所述浅沟槽隔离结构中的单个互连结构。
5.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述金属场板包括电性连接到所述栅极结构并且延伸到所述浅沟槽隔离结构中的多个互连结构。
6.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括通过所述浅沟槽隔离结构与所述栅极结构分离的漏极扩散。
7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述接触件在所述栅极结构的边缘与所述漏极扩散间延伸。
8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述栅极结构包括横向扩散金属氧化物半导体设备。
9.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅极介电材料，所述栅极介电材料包括与所述浅沟槽隔离结构相同的绝缘体材料。
10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述栅极介电材料在n阱和...
【专利技术属性】
技术研发人员：席史·M·潘迪，R·克里什纳萨米，朱德尚·R·侯尔特，陈忠锋，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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