【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置及集成电路制造，尤其涉及用于异质结双极型晶体管的结构以及形成用于异质结双极型晶体管的结构的方法。
技术介绍
1、双极结型晶体管是一种三端子电子装置，其包括发射极(emitter)、集电极(collector)，以及定义与该发射极的p-n结以及与该集电极的p-n结的本征基极(intrinsic base)。在pnp异质结双极型晶体管中，发射极及集电极由p型半导体材料组成，而本征基极由n型半导体材料组成。在npn异质结双极型晶体管中，发射极及集电极由n型半导体材料组成，而本征基极由p型半导体材料组成。在操作期间，基极-发射极结为正向偏置，基极-集电极结为反向偏置，且集电极-发射极电流可通过基极-发射极电压控制。
2、异质结双极型晶体管是双极结型晶体管的变体，其中，半导体材料具有不同的能带隙，从而形成异质结。例如，异质结双极型晶体管的集电极及发射极可由硅构成，而异质结双极型晶体管的本征基极可由硅-锗构成，其由窄于硅的能带隙表征。异质结双极型晶体管可因引入异质结而呈现高频性能的改善。
3、需要改进的用于异质结双极型晶体管的结构以及形成用于异质结双极型晶体管的结构的方法。
技术实现思路
1、在一个实施例，提供一种用于异质结双极型晶体管的结构。该结构包括发射极、集电极以及本征基极，该集电极包括第一片段(section)、第二片段、以及沿第一方向设置于该第一片段与该第二片段间的第三片段，该本征基极沿第二方向设于该发射极与该集电极的该第三片段间。该结
2、在一个实施例，提供一种形成用于异质结双极型晶体管的结构的方法。该方法包括形成发射极、形成集电极以及形成本征基极，该集电极包括第一片段、第二片段、以及沿第一方向设置于该第一片段与该第二片段间的第三片段该本征基极沿第二方向设于该发射极与该集电极的该第三片段间。该方法还包括形成应力层，该应力层包括经设置以与该发射极、该本征基极、以及该集电极重叠的片段。该应力层的该片段由周缘围绕，且该集电极的该第一及第二片段分别邻近该应力层的该周缘设置。
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1.一种用于异质结双极型晶体管的结构，其特征在于，该结构包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该集电极的该第一片段与该应力层的该周缘向内隔开第一距离，且该集电极的该第二片段与该应力层的该周缘向内隔开第二距离。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第一距离等于该第二距离。
4.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第一距离及该第二距离分别在从0.1微米至小于或等于2微米的范围内变化。
5.如权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该集电极具有周缘，且该应力层的该第一片段的该周缘围绕该集电极的该周缘。
7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，该应力层的该第一片段与该集电极的该周缘重叠。
8.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
9.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该深沟槽隔离区在该应力层的该第一片段的该周缘处邻接该应力层的该第一片段。
10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该应力层包括围绕该应力层的该第
11.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该应力层的该第一片段的该周缘沿该第一方向设置于该深沟槽隔离区与该集电极的该第一片段间，且该应力层的该第一片段的该周缘沿该第一方向设置于该深沟槽隔离区与该集电极的该第二片段间。
12.如权利要求8所述的结构，其特征在于，还包括：
13.如权利要求12所述的结构，其特征在于，该浅沟槽隔离区包括位于该集电极中的部分。
14.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该集电极的该第一片段与该应力层的该周缘对齐，且该集电极的该第二片段与该应力层的该周缘对齐。
15.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该集电极具有n型导电性，且该应力层包含拉伸应力。
16.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
17.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一方向横切于该第二方向。
18.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该应力层包括围绕该应力层的该第一片段的该周缘的第二片段，且该应力层的该第二片段与该应力层的该第一片段断开。
19.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
20.一种形成用于异质结双极型晶体管的结构的方法，其特征在于，该方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种用于异质结双极型晶体管的结构，其特征在于，该结构包括：
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该集电极的该第一片段与该应力层的该周缘向内隔开第一距离，且该集电极的该第二片段与该应力层的该周缘向内隔开第二距离。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第一距离等于该第二距离。
4.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第一距离及该第二距离分别在从0.1微米至小于或等于2微米的范围内变化。
5.如权利要求2所述的结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该集电极具有周缘，且该应力层的该第一片段的该周缘围绕该集电极的该周缘。
7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，该应力层的该第一片段与该集电极的该周缘重叠。
8.如权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
9.如权利要求8所述的结构，其特征在于，该深沟槽隔离区在该应力层的该第一片段的该周缘处邻接该应力层的该第一片段。
10.如权利要求9所述的结构，其特征在于，该应力层包括围绕该应力层的该第一片段的第二片段，且该深沟槽隔离区将该应力层的该第一片段与该应力层的该第二片段隔开。
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【专利技术属性】
技术研发人员：夫厚尔·杰恩，J·约翰逊，V·翁塔洛斯，J·J·派卡里克，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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