【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及一种薄膜晶体管基板，其中不同类型的薄膜晶体管设置在同一基板上，以及使用该薄膜晶体管基板的显示装置，更具体地，涉及一种薄膜晶体管基板，其中在相同工艺中形成的半导体图案分别用作不同类型的薄膜晶体管中的遮光图案或有源图案，以及使用该薄膜晶体管基板的有机发光显示装置。
技术介绍
1、随着信息依赖型社会的发展，图像显示装置的重要性已经增加。这种显示装置已经迅速地从使用阴极射线管(crt)并具有大体积的crt显示装置变为能够具有大面积同时具有薄且轻的结构的平面显示装置。
2、此外，近年来，随着个人电子设备的积极发展，已经开发了具有优异便携性和耐磨损性的产品作为显示装置。与此相关，为了不仅提高响应时间、发光效率、亮度和视角，而且提高便携性，增大了对具有低功耗的显示装置的要求。
3、在包括氧化物半导体薄膜晶体管的显示装置中，遮光图案设置在基板和氧化物半导体薄膜晶体管之间，并且遮光图案电连接到有源图案和源极-漏极电极，因此，可以增加流过有源图案的漏极电流的饱和效应，并且即使当漏极电压存在变化时也可以将漏极电流保持在预定值。然而，遮光图案与氧化物半导体薄膜晶体管形成在不同的层上。为此，遮光图案的形成过程需要额外的掩模。
技术实现思路
1、因此，本公开内容涉及一种薄膜晶体管基板、包括该薄膜晶体管基板的显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。
2、本公开内容的目的是提供一种薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的有机
3、本公开内容的另外的优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在研究以下内容时将变得显而易见，或者可以从本公开内容的实践中学习到。本公开内容的目的和其他优点可以通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
4、为了实现这些目的和其他优点并根据本公开内容的目的，如本文所体现和广泛描述的，有机发光显示装置包括薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括包含显示区域和设置在显示区域周围的非显示区域的基板，设置在基板上同时包括至少一个无机绝缘层的缓冲层，设置在缓冲层上同时包括至少一个无机绝缘层的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上同时包括至少一个无机绝缘层的第二绝缘层，设置在所述显示区域中的像素驱动薄膜晶体管，设置在所述非显示区域中的栅极驱动薄膜晶体管，设置在所述显示区域中的开关薄膜晶体管，以及电连接到所述驱动薄膜晶体管的电容器。
5、根据本公开内容的实施例，像素驱动薄膜晶体管可以包括设置在第一绝缘层上的第一有源图案、设置在第二绝缘层上同时与第一有源图案重叠的第一栅电极、设置在第一有源图案下方同时与第一有源图案重叠的第一遮光图案、以及电连接到第一有源图案的第一源电极和第一漏电极。第一有源图案和第一遮光图案可以电连接到第一源电极。第一有源图案可以包括氧化物半导体材料。第一遮光图案可以包括具有导电性的半导体材料。
6、根据本公开内容的实施例，栅极驱动薄膜晶体管可以包括形成在缓冲层上的第二有源图案，和设置在第一绝缘层上的第二栅电极。第二有源图案可以包括多晶半导体材料。第二栅电极可以包括具有导电性的氧化物半导体材料。
7、根据本公开内容的实施例，开关薄膜晶体管可以包括设置在缓冲层上的第二遮光图案、设置在第一绝缘层上的第三有源图案、以及在第二绝缘层上与第三有源图案重叠的第三栅电极。第三有源图案可以包括氧化物半导体材料。第二有源图案可以包括具有导电性的半导体材料。第二遮光图案和第三栅电极可以电互连。
8、根据本公开内容的实施例，第一遮光图案和第二遮光图案中的每一个可以包括掺杂有p型离子的多晶半导体材料。
9、根据本专利技术的实施例，所述电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，所述第一电容器电极包括具有导电性的氧化物半导体材料，所述第二电容器电极包括具有导电性的多晶硅半导体材料。
10、根据本公开内容的实施例，第一电容器电极可以形成在第一绝缘层上，并且第二电容器电极可以形成在缓冲层上。
11、根据本公开内容的实施例，第二有源图案、第一遮光图案、第二遮光图案和第二电容器电极可以形成在同一层上并由相同的材料构成。
12、根据本公开内容的实施例，第二栅电极、第一有源图案和第一电容器电极可以形成在同一层上并由相同的材料构成。
13、根据本公开内容的实施例，第一有源图案可以包括n型半导体材料，并且第一遮光图案可以包括p型半导体材料。
14、在本公开内容的另一方面，提供了一种有机发光显示装置，包括设置在第二绝缘层上的第三绝缘层、设置在第三绝缘层上的第一平坦化层和设置在第一平坦化层上的第二平坦化层。可以在第二平坦化层上设置阳极。可以在阳极上设置有机发光层。可以在有机发光层上设置阴极。有机发光显示装置还可以包括阳极连接电极，其被配置为在非显示区域中将公共电压线和阴极电互连。
15、在本公开内容的另一方面，提供了一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括：在基板上形成包括至少一个无机绝缘层的缓冲层，在第一缓冲层上形成第一遮光图案和第二有源图案，在第一遮光图案和第二有源图案上形成包括至少一个无机绝缘层的第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成与所述第一遮光图案重叠的第一有源图案和与所述第二有源图案重叠的第二栅电极，在所述第一有源图案和所述第二栅电极上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成与所述第一有源图案重叠的第一栅电极，在所述第一栅电极和所述第二绝缘层上形成第三绝缘层，以及在所述第三绝缘层上形成第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极，其中，所述第一遮光图案和所述第一有源图案电连接到彼此电连接的所述第一源电极和所述第一漏电极，其中，所述第二源电极和所述第二漏电极电连接到所述第二有源图案，其中，所述第一有源图案和所述第二栅电极中的每一个包括氧化物半导体材料，并且其中，所述第一遮光图案和所述第二有源图案中的每一个包括硅半导体材料。
16、根据本公开内容的实施例，该方法还可以包括形成第一电极和形成第二电极。第二电极可以与第一遮光图案形成在相同的层上，并且第一电极可以与第一有源图案形成在相同的层上。
17、根据本公开内容的实施例，该方法还可以包括形成第二遮光图案，形成第三有源图案，形成第三栅电极，以及形成第三源电极和第三漏电极。第二遮光图案可以与第一遮光图案形成在相同的层上。第三栅电极可以与第一栅电极形成在相同的层上。第三源电极和第三漏电极可以与第一源电极和第一漏电极形成在相同的层上。
18、在本公开内容的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，除了上述薄膜晶体管基板制造方法之外，还包括：在第三绝缘层上形成第一平坦化层，在第一平坦化层上形成第二平坦化层，在第二平坦化层上形成本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括在所述非显示区域上的栅极驱动薄膜晶体管，
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，还包括在所述显示区域中的开关薄膜晶体管，
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一遮光图案和所述第二遮光图案是掺杂有P型离子的多晶半导体材料。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，还包括电连接到所述像素驱动薄膜晶体管的电容器，
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中：
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二有源图案、所述第一遮光图案、所述第二遮光图案和所述第二电容器电极设置在同一层上并且由同一材料制成。
8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二栅电极、所述第一有源图案和所述第一电容器电极设置在同一层上并且由同一材料制成。
9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一有源图案包括N型半导体材料，并且所述第一遮光图案包括P型半导体材料。
10.一种有机发光显
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，还包括在所述第二绝缘层上的第一平坦化层，
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，还包括：
13.一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括：
14.根据权利要求13所述的制造薄膜晶体管基板的方法，还包括：
15.根据权利要求13所述的制造薄膜晶体管基板的方法，还包括：
16.根据权利要求13所述的制造薄膜晶体管基板的方法，其中，所述第一半导体材料是多晶半导体材料，所述第二半导体材料是氧化物半导体材料。
17.根据权利要求13所述的制造薄膜晶体管基板的方法，其中，在所述第一缓冲层上形成由第一半导体材料制成的第一遮光图案和第二有源图案包括：
18.根据权利要求13所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中，在所述第一绝缘层上形成由第二半导体材料制成的第一有源图案和第二栅电极包括：
19.根据权利要求13所述的制造薄膜晶体管基板的方法，其中，在所述第二绝缘层上形成所述第一栅电极以与所述第一有源图案重叠包括：
20.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括在所述非显示区域上的栅极驱动薄膜晶体管，
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，还包括在所述显示区域中的开关薄膜晶体管，
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一遮光图案和所述第二遮光图案是掺杂有p型离子的多晶半导体材料。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，还包括电连接到所述像素驱动薄膜晶体管的电容器，
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中：
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二有源图案、所述第一遮光图案、所述第二遮光图案和所述第二电容器电极设置在同一层上并且由同一材料制成。
8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二栅电极、所述第一有源图案和所述第一电容器电极设置在同一层上并且由同一材料制成。
9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一有源图案包括n型半导体材料，并且所述第一遮光图案包括p型半导体材料。
10.一种有机发光显示装置，包括：根据权利要求1所述的薄膜晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：高永贤，白朱爀，李道炯，崔弘洛，丁燦墉，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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