【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施方式涉及一种制造外延晶片的方法，更具体地，涉及一种制造外延晶片的方法，当在加工室中的晶片上生长外延层时，该方法能够有效地将残余气体排出加工室。
技术介绍
1、广泛用作半导体器件制造材料的晶片可以由多种材料制成，例如单晶基材，包括单晶硅(si)、碳化硅(sic)、蓝宝石、氮化镓(gan)和玻璃基材。晶片通过以下过程生产：将单晶硅锭切割成薄晶片的切片工序；提高晶片平整度同时将晶片研磨到所需厚度的研磨工序；去除晶片损伤层的蚀刻工序；抛光晶片表面并提高其平整度的抛光工序；以及去除晶片表面污染物的清洁工序。
2、通过上述工艺制造的晶片被称为抛光晶片。在抛光晶片上生长有外延层的晶片称为外延晶片。外延晶片的特征在于，外延晶片具有比抛光晶片更少的表面缺陷，并且掺杂剂的浓度或种类是可控的。此外，该外延晶片的优点在于，外延层的纯度高并且外延层的晶体特性优异，这有利于提高高度集成的半导体器件的良率和器件特性。
3、可以使用化学气相沉积(cvd)方法来沉积外延层。化学气相沉积法是在目标对象(例如半导体晶片)上生长薄材料层的...
【技术保护点】
1.一种制造外延晶片的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中
3.如权利要求2所述的方法，其中
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在冷却步骤中，从第二高度到基座的高度是从第二高度到第一高度的距离的32％或更小。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在冷却步骤中，加工室中的温度为750至1000℃。
6.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中冷却步骤进行20秒或更长时间。
7.如权利要求2或3所述的方法，其中，在冷却步骤中，通过源气体入口供应源气体和吹扫气体，并...
【技术特征摘要】
1.一种制造外延晶片的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中
3.如权利要求2所述的方法，其中
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在冷却步骤中，从第二高度到基座的高度是从第二高度到第一高度的距离的32％或更小。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在冷却步骤中，加工室中的温度为...
【专利技术属性】
技术研发人员：金镇权，朴在旭，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：
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