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公开了一种制造外延晶片的方法，该方法包括将晶片设置在加工室中的基座上，将基座设置在加工室内的源气体供应高度处，供应源气体以在晶片的表面上生长单晶膜，在加工室中向下移动基座，以及降低加工室中的温度以冷却晶片。...
该专利属于爱思开矽得荣株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开矽得荣株式会社授权不得商用。

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